задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

Драйверы для IGBT и MOSFET транзисторов

23.05.2014

Компания ЭЛТЕХ -  официальный дистрибьютор компании IXYS на территории Российской Федерации

Компания IXYS – один из мировых лидеров в производстве мощных полевых транзисторов (MOSFET)  и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT). IXYS также выпускает и  микросхемы драйверов  - для эффективного управления затвором MOSFET и IGBT транзисторов.  

Основная задача драйвера –  обеспечить согласование низковольтных  логических сигналов от контроллера с сигналами управления затвора силовых ключей.  Для более надежного переключения силовых ключей драйвера IXYS имеют дополнительные функции защиты, такие как, отключение нагрузки при перегрузки по току, отключение при пониженном напряжении питания, устойчивость к отрицательным выбросам напряжения при переходных процессах: стойкость к скорости нарастания напряжения: dV/dt, Вывод Shut down – перевод драйвера в неактивное состояние

Драйверы для IGBT и MOSFET транзисторов от компании IXYS:       

IX21844 — Высоковольтные драйверы полумоста

IX2113 — Высоковольтные драйверы верхнего и нижнего плеча

IX2127 — Высоковольтные драйверы верхнего плеча

IX2204 Двухканальные драйверы нижнего плеча для IGBT транзисторов

IX44  Двухканальные драйверы нижнего плеча для MOSFET транзисторов

IXD_6  –  Драйверы нижнего плеча (одноканальные и двухканальные) для  IGBT и MOSFET транзисторов

IX3120 — Драйверы с оптической изоляцией 3750В для MOSFET и IGBT транзисторов до 2.5А

CPC1580, CPC1590   — Драйверы с оптической изоляцией 3750В для MOSFET транзисторов

FDA215, FDA217 — Двухканальные  драйверы с оптической изоляцией 3750В для MOSFET транзисторов

Проверить наличие на складе и оформить заказ Вы можете в нашем каталоге

Получить более подробную информацию и заказать образцы можно в любом из офисов компании ЭЛТЕХ или написав письмо по адресу: ixys@eltech.spb.ru

 

IX21844   Высоковольтный драйвер полумоста

IX21844   -  Драйвер верхнего и драйвер нижнего плеча, включенный по схеме полумост (Half-Bridge Gate driver). Важным преимуществом IX21844  является аппаратная реализация паузы между переключением ключей (dead time), что существенно повышает надежность конечного устройства. Временем паузы программируемое и может быть установлено от 400нс до 5мкс. Малые задержки времени позволяет реализовывать преобразование на высокой частоте.
IX21844  разработан для управления MOSFET и IGBT транзисторами, работающими при напряжении до 700В. IX21844 позволяет реализовывать полумостовые, мостовые и трехфазные варианты исполнения преобразователей. 

Технические характеристики:

  • Напряжение на шине, Voffset:  600В (максимум 700В)
  • Выходной ток IO+/IO- :  1.4А  /  1.8А
  • Время задержки распространения ton/toff: 560нс/200нс
  • Время нарастания /спада фронта (tr/tf):  23нс/ 14 нс
  • Программируемая пауза переключения ( Dead time) TD:  от 400нс до 5мкс
  • Возможность работы с входными логическими сигналами: 3,3В и 5В
  • Вывод Shut Down – перевод драйвера в неактивное состояние
  • Отключение при пониженном напряжении питания (UVLO) как для верхнего, так и для нижнего плеча
  • Устойчив к отрицательным выбросам напряжения при переходных процессах

Наименование Корпус Документация
IX21844G
 
DIP-14
IX21844N SOIC-14
IX21844-EVAL

 Отладочная плата

IX2113 - Высоковольтный двухканальный драйвер верхнего и нижнего плеча

IX2113 -  Высоковольтный быстрый драйвер для силовых MOSFET и IGBT транзисторов. IX2113 имеет два независимых канала верхнего и нижнего плеча и разработан для схем, работающих при напряжении до 700 В. Этот драйвер надежен и устойчив к выбросам при переходных процессах, задержки распространения настолько малы, что позволяют использовать этот драйвер в высокочастотных приложениях

Технические характеристики:

  • Напряжение на шине, Voffset:  600 В (максимум 700 В)
  • Выходной ток IO+/IO- : 2А / 2 А
  • Время задержки распространения  (ton/toff):  113 нс / 100 нс
  • Время нарастания/спада фронта (tr/tf):  9,7нс/ 9,4 нс
  • Входное напряжение: 10-20 В
  • Возможность работы с входными логическими сигналами: 3,3 В
  • Вывод Shut down – перевод драйвера в неактивное состояние
  • Отключение при пониженном напряжении питания (UVLO) как для верхнего так и для нижнего плеча
  • Устойчив к отрицательным выбросам напряжения при переходных процессах

Наименование Корпус Документация
IX2113B SOIC-16
IX2113G DIP-14
IX2113-EVAL Отладочная плата

IX2127 Высоковольтный драйвер верхнего плеча

IX2127  — высоковольтный быстрый драйвер верхнего плеча для силовых MOSFET и IGBT транзисторов. IX2127 имеет встроенный компаратор, который, обнаружив в управляемом транзисторе перегрузку по току, своевременно отключает управление (функция shut-down). При этом выход FAULT укажет, что отключение произошло из-за перегрузки по току. IX2127 оптимален для применения в схемах балласта для флуоресцентных ламп, управления электродвигателями, импульсных источниках питания и других устройствах.

Технические характеристики:

  • Напряжение на шине, Voffset:  600 В
  • Выходной ток IO+/IO- : 250 мА / 450 мА
  • Время задержки распространения  (ton/toff):  100 нс / 73 нс
  • Время нарастания/спада фронта (tr/tf):  23 нс / 20 нс
  • Возможность работы с входными логическими сигналами: 3,3 В, 5 В и 12 В
  • Отключение при перегрузки по току (Over-Current Shutdown).
  • Выход сигнала неисправности (FAULT)
  • Отключение при пониженном напряжении питания (UVLO)
  • Устойчив к отрицательным выбросам напряжения при переходных процессах

Наименование Корпус Документация
IX2127G

DIP-8

IX2127N SOIC-8

IX2204NE - двухканальный драйвер нижнего плеча IGBT

IX2204NE  - двухканальный драйвер затвора предназначенный для управления IGBT. Драйвер производится по технологии IXYS IC кремний на изоляторе(SOI), имеет широкий диапазон по выходному напряжению от -10 В до + 26 В и два токовых выхода, каждый из которых рассчитан на 2 А входного тока и 4 А выходного, и возможность включения каналов в параллель для управления более мощными транзисторами. IX2204 также подходит для управления SiC MOSFET транзисторами.

IX2204NE имеет два уровня защиты от перегрузки по току управляемого транзистора и от снижения питающего напряжения(UVLO). Так же есть выход сигнала аварии, который отражает наступление одного из вышеперечисленных событий.    

IX2204NE надежен и устойчив к перенапряжениям, которые неизбежно возникают при  возникают при коммутации мощной нагрузки.

Технические характеристики:

  • Выходной ток IO+/IO-:  2 А /  4 А
  • Время нарастания /спада фронта (tr/tf):  40 нс/ 20 нс
  • Время задержки распространения  (TDLH/TDHL):  70 нс / 70 нс
  • Входное напряжение:  от -10 В до 26 В
  • Возможность работы с входными логическими сигналами TTL
  • Отключение при перегрузки по току (Over-Current Shutdown).
  • Отключение при пониженном напряжении питания (UVLO)
  • Выход сигнала неисправности (FAULT)

Наименование Корпус Документация
IX2204NE SOIC-16

IX44__   Двухканальные драйверы нижнего для MOSFET транзисторов

IX44 -  Высокоскоростные двухканальные драйверы нижнего плеча для MOSFET. Благодаря малым задержкам распространения и очень коротким фронтам эти драйверы являются оптимальными для силовых высокочастотных применений

Наименование Ко-во каналов Конфигурация I пиковый, А ton/toff, нс tr/tf, нс Корпус
IX4423N
 
2 3 70 / 70 30 / 30 SOIC-8
IX4424N
 
2 3 70 / 70 30 / 30 SOIC-8
IX4425N 2 3 70 / 70 30 / 30 SOIC-8
IX4426N 2 1.5 35 / 35 10 / 8 SOIC-8
IX4427N
 
2 1.5 35 / 35 10 / 8 SOIC-8
IX4428N
 
2 1.5 35 / 35 10 / 8 SOIC-8

IXD_6  –  Драйверы нижнего плеча (одноканальные и двухканальные) для MOSFET и IGBT транзисторов

IXD_6 – это быстрые и мощные драйвера затвора для MOSFET и IGBT транзисторов. IXD_6 -  Самое большое семейство драйверов от компании IXYS.  Драйвера выпускаются в одноканальном и двухканальном исполнении, с различными значениями выходных токов (до 30А - IXD_630) и вариантами конфигураций инвертированных выходов.

 Драйверы разработаны для управления мощными MOSFET и IGBT транзисторами с минимальным временем переключения. Драйвера оптимизированы для работы на частотах до 10 МГц.

Технические характеристики:

  • Широкий диапазон напряжения питания: от 4.5В до 35В
  • Пиковый выходной ток: от 1,5 А до 30 А
  • Оптимизированы для работы на частотах до 10 МГц
  • Собственное потребление: 10 мА
  • Расширенный диапазон рабочей температуры: –40…+100 °С

 

Наименование Кол-во каналов Конфигурация Io+/Io-, А

ton/toff, нс

tr/tf, нc

Корпус

IXDF602PI

2

2/2

35/38

7.5/6.5

DIP-8

IXDF602SI

2

2/2 35/38 7.5/6.5

Power SOIC-8

 

IXDF602SIA

2

2/2 35/38 7.5/6.5 SOIC-8

 

IXDI602PI

2 2/2 35/38 7.5/6.5 DIP-8

IXDI602SI

2

2/2 35/38 7.5/6.5

Power SOIC-8

IXDI602SIA

2

2/2 35/38 7.5/6.5 SOIC-8

IXDN602PI

2

2/2 35/38 7.5/6.5 DIP-8

IXDN602SI

2

2/2 35/38 7.5/6.5

Power SOIC-8

IXDN602SIA

2

2/2 35/38 7.5/6.5 SOIC-8

IXDD604PI

2 4/4 29/35 9/8 DIP-8

IXDD604SI

2 4/4 29/35 9/8

Power SOIC-8

IXDD604SIA

2 4/4 29/35 9/8 SOIC-8

IXDF604PI

2 4/4 29/35 9/8 DIP-8
IXDF604SI 2

4/4 29/35 9/8

Power SOIC-8

 

IXDF604SIA

2

4/4 29/35 9/8 SOIC-8
IXDI604PI 2 4/4 29/35 9/8 DIP-8

IXDI604SI

2 4/4 29/35 9/8

Power SOIC-8

IXDI604SIA

2

4/4 29/35 9/8 SOIC-8

IXDN604PI

2

4/4 29/35 9/8 DIP-8

IXDN604SI

2

4/4 29/35 9/8

Power SOIC-8

IXDN604SIA

2

4/4 29/35 9/8 SOIC-8

IXDD609D2

1

9/9 40/22 22/15 DNF-8

IXDD609PI

1

9/9 40/22 22/15 DIP-8

IXDD609SI

1

9/9 40/22 22/15

Power SOIC-8

IXDD609SIA

1

9/9 40/22 22/15 SOIC-8

IXDD609CI

1 9/9 40/22 22/15 5-Pin TO-220

IXDD609YI

1 9/9 40/22 22/15 5-Pin TO-263

IXDI609PI

1 9/9 40/22 22/15 DIP-8

IXDI609SI

1 9/9 40/22 22/15

Power SOIC-8

IXDI609SIA

1

9/9 40/22 22/15 SOIC-8

IXDI609CI

1

9/9 40/22 22/15 5-Pin TO-220

IXDI609YI

1 9/9 40/22 22/15 5-Pin TO-263

IXDN609PI

1 9/9 40/22 22/15 DIP-8

IXDN609SI

1

9/9 40/22 22/15

Power SOIC-8

IXDN609SIA

1

9/9 40/22 22/15 SOIC-8

IXDN609CI

1

9/9 40/22 22/15 5-Pin TO-220

IXDN609YI

1 9/9 40/22 22/15 5-Pin TO-263

IXDD614PI

1

14/14 50/50 25/18 DIP-8

IXDD614SI

1

14/14 50/50 25/18

Power

25/18 SOIC-8

IXDD614C1

1

14/14 50/50 25/18 5-Pin TO-220

IXDD614YI

1

14/14 50/50 25/18 5-Pin TO-263

IXDI614PI

1 14/14 50/50 25/18 DIP-8

IXD614SI

1 14/14 50/50 25/18

Power SOIC-8

IXD614CI

1 14/14

50/50

25/18 5-Pin TO-220

IXDI614YI

1 14/14 50/50 25/18 5-Pin TO-263

IXDN614PI

1 14/14 50/50 25/18 DIP-8

IXDN614SI

1 14/14 50/50 25/18

Power SOIC-8

IXDN614CI

1 14/14 50/50 25/18 5-Pin TO-220

IXDN614YI

1

14/14 50/50 25/18 5-Pin TO-263

IXDD630CI

1

30/30 46/46 11/11 5-Pin TO-220

IXD630YI

1

30/30 46/46 11/11 5-Pin TO-263

IXDD630MCI

1

30/30 46/46 11/11 5-Pin TO-220

IXDD630MYI

1 30/30 46/46 11/11 5-Pin TO-263

IXDI630CI

1 30/30 46/46 11/11 5-Pin TO-220

IXDI630YI

1 30/30 46/46 11/11 5-Pin TO-263

IXDI630MCI

1 30/30 46/46 11/11 5-Pin TO-220

IXDI630MYI

1 30/30 46/46 11/11 5-Pin TO-263

IXDN630CI

1 30/30 46/46 11/11 5-Pin TO-220

IXDN630YI

1 30/30 46/46 11/11 5-Pin TO-263

IXDN630MCI

1 30/30 46/46 11/11 5-Pin TO-220

IXDN630MYI

1 30/30 46/46 11/11 5-Pin TO-263

IX3120 Драйверы с оптической изоляцией 3750 В для IGBT и MOSFET транзисторов

IX3120 — Драйвер с оптической развязкой вход/выход 3750 В, для IGBTи MOSFET транзисторов. IX3120 обеспечивает импульсный ток управления затвором до 2.5 А, что позволяет применять этот драйвер для управления IGBT/MOSFET-транзисторами средней мощности. На входе оптрона драйвера применен светодиод инфракрасного диапазона с малым прямым падением напряжения (1.25 В). Выходной каскад рассчитан на большие пиковые токи (2,5 А max), что вместе с высокой помехозащищенностью (25 кВ/мкс) позволяет применять драйверы в таких устройствах, как: схемы управления электродвигателями, промышленные инверторы, электросварочные аппараты, импульсные источники питания и др.

Технические характеристики:

  • Прочность изоляции вход/выход: 3750 В
  • Выходной ток: 2.5 А
  • Время нарастания/спада фронта (tr/tf):  0,1мкс / 0,1мкс
  • Время задержки распространения  (tplh/tphl):  0.3мкс / 0.3мкс
  • Входное напряжение: от 15В до 30В
  • Отключение при пониженном напряжении питания (UVLO)
  • Высокая помехозащищенность (минимум 25 кВ/мксек, CMR).

Наименование

Корпус

Документация

IX3120G

DIP-8
IX3120GS
 
SMD-8

IX3120GE

DIP-8
IX3120GES SMD-8

CPC1580, CPC1590 — Драйверы с оптической изоляцией 3750В  для MOSFET транзисторов

CPC1580 и CPC1590 — быстрые оптически изолированные драйвера затвора, не требующие дополнительного источника питания — питание поступает от внешнего конденсатора, заряжаемого от напряжения нагрузки. Эти драйверы рассчитаны на применение в импульсных схемах с коротким рабочим циклом

Технические характеристики:

  • Прочность изоляции вход/выход: 3750В
  • Напряжение на нагрузке, VL:  15-65В
  • Время задержки распространения  (ton/toff):  150мкс / 240мкс
  • Совместимость с TTL/CMOS-логикой
  • Не требуется дополнительный источник питания
Наименование Корпус Документация
CPC1580P Flatpack-8

 

CPC1590P
 
Flatpack-8

FDA215, FDA217 — Двухканальные  драйверы с оптической изоляцией 3750В  для MOSFET

FDA215 и FDA217  -  оптически изолированные двухканальные драйверы затвора для MOSFET транзисторов. Представляют собой сочетание инфракрасного GaAIAs светодиода и сборки фотодиодов, при протекании тока через светодиод на выходе генерируется напряжение достаточное для управления MOSFET-транзистором.

Технические характеристики:

  • Прочность изоляции вход/выход: 3750В
  • Ток короткого замыкания выхода 2,5 мкА (4,5 мкА)*
  • Время нарастания/спада (ton/toff):  5/5 мс (2/0,5 мс)*
  • Выходы с возможностью параллельного, последовательного или независимого подключения
  • Открытый выход с возможностью параллельного или последовательного подключения

* В скобках приведены данные для FDA217

Наименование Корпус Документация
FDA215 DIP-8
FDA215S SMD-8
FDA217 DIP-8
FDA217S SMD-8