задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ
Каталог производители

Cиловая электроника

Связанные материалы

Драйверы для IGBT и MOSFET транзисторов
Драйверы для IGBT и MOSFET транзисторов

Обзор драйверов для MOSFET и IGBT транзисторов от компания IXYS

23.05.2014

GenX3 IGBT компании IXYS
GenX3 IGBT компании IXYS

Компания IXYS, мировой лидер в разработке и производстве полупроводниковых компонентов для силовой электроники, представляет новое семейство GenX3 дискретных 900-В XPT IGBT (eXtremely rugged eXtremaly light Punch Through). Новейшие достижения в разработке топологии кристалла и новые технологические процессы позволили создать IGBT, которые ориентированы на снижение потерь на проводимость и переключение при жестких переключениях с частотой до 60 кГц

13.05.2014

Силовые MOSFET транзисторы и драйверы управления. Новинки 2013 г.
Силовые MOSFET транзисторы и драйверы управления. Новинки 2013 г.

В данной брошюре освещены последние новинки фирмы IXYS, мирового лидера в разработке и производстве MOSFET транзисторов и драйверов управления, за прошедший 2013 год

17.03.2014

Сравнение новейших HiPerFET MOSFETs с семейством Super Junction MOSFETs
Сравнение новейших HiPerFET MOSFETs с семейством Super Junction MOSFETs

С выпуском третьего семейства P3 HiPerFET силовых MOSFET компания IXYS установила новую планку параметров этих устройств для средних и высоких частот. Применение новых транзисторов позволит создавать продукты, которые с высокой надежностью и эффективностью способны решить самые современные задачи преобразования высокого напряжения.

03.02.2014

Все статьи
R1045NC36 и R1045NC32 - 3.2/3.6 кВ тиристоры с высоким быстродействием и током до 1055 А
R1045NC36 и R1045NC32 - 3.2/3.6 кВ тиристоры с высоким быстродействием и током до 1055 А

Компания ЭЛТЕХ, официальный дистрибьютор корпорации IXYS, предлагает быстродействующие тиристоры R1045NCХХ в капсульном корпусе с током до 1055 А и временем выключения до 70 мкс. Данные тиристоры рассчитаны на работу с повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии (Maximum Repetitive Peak Off-state Voltag) 3200 В и 3600 В.

06.03.2017

CPC7512- высоковольтный двухканальный коммутатор в корпусе SOIC20 от компании IXYS
CPC7512- высоковольтный двухканальный коммутатор в корпусе SOIC20 от компании IXYS

Компания ЭЛТЕХ предлагает CPC7512 – двухканальный интегральный высоковольтный коммутатор с нормально разомкнутыми контактами. Коммутатор выполнен в корпусе SOIC20 и может коммутировать сигналы высокого напряжения до ± 320 В.

24.04.2015

IX4426M, IX4427M, IX4428M двухканальные 1,5 А драйверы нижнего плеча MOSFET транзисторов в корпусе DFN
IX4426M, IX4427M, IX4428M двухканальные 1,5 А драйверы нижнего плеча MOSFET транзисторов в корпусе DFN

Компания Элтех предлагает MOSFET драйверы IX4426M, IX4427M, IX4428M в миниатюрном DFN корпусе с габаритами 3 х 3 мм. Выходные каскады драйверов способны переключать управляемый транзистор менее чем за 10 нсек, выдавая на затвор с емкостью до 1000 пФ, ток силой до 1,5 А.

29.01.2015

XPT™ 900V  - cемейство IGBT транзисторов от IXYS
XPT™ 900V - cемейство IGBT транзисторов от IXYS

ЭЛТЕХ, официальный дистрибьютор корпорации IXYS, предлагает транзисторы, созданные по технологии 900V XPT™ IGBT GenX3™. Эти транзисторы, расчитаные на номинальный ток от 20 А до 310 А при напряжении 900 В, имеют меньшие потери как в открытом состоянии, так и при переключениях с частотой до 50 кГц.

13.05.2014

Все новости

Вопрос-ответ

Задать вопрос