задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

F-RAM c параллельным интерфейсом

Наименование
FM1608B-SG
FM1608B-SGTR
FM16W08-SG
FM16W08-SGTR
FM1808-70-SG
FM1808B-SG
FM1808B-SGTR
FM18L08-70-PG
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 255,89
10 - 24 252,89
От 25 248,38

В наличии

FM18W08-SG
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 126,34

Нет в наличии

FM18W08-SGTR
FM21L16-60-TG
FM21L16-60-TGTR
FM21LD16-60-BG
FM21LD16-60-BGTR
FM22L16-55-TG
FM22L16-55-TGTR
FM22LD16-55-BG
FM22LD16-55-BGTR
FM23MLD16-60-BG
FM23MLD16-60-BGTR
FM28V020-SG
FM28V020-SGTR
FM28V020-TG
FM28V020-TGTR
FM28V100-TG
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 185,81

Нет в наличии

FM28V100-TGTR
Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Объем памяти, Кб Корпус Интерфейс U питания (мин), В Распродажа компонентов
Ramtron Память 64кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 4.5-5.5 вольт, корпус 28-Pin SOIC, -40+85 64 SOIC28 Параллельный 4.5
Ramtron Память 64кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 4.5-5.5 вольт, корпус 28-Pin SOIC, -40+85 64 SOIC28 Параллельный 4.5
Ramtron Память 64кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 2.7-5.5 вольт, корпус SOIC28, -40+85 64 SOIC28 Параллельный 2.7
Ramtron Память 64кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 2.7-5.5 вольт, корпус SOIC28, -40+85 64 SOIC28 Параллельный 2.7
Ramtron Снят с производства, замена FM18W08-SG
Ramtron Память 256кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 4.5-5.5 вольт, корпус SOIC28, -40+85 256 SOIC28 Параллельный 4.5
Ramtron Память 256кбит, параллельный интерфейс, напряжение питания 4.5-5.5вольт, корпус SOIC28, -40+85 256 SOIC28 Параллельный 4.5
Ramtron 256Kb Bytewide FRAM Memory, 70 ns access,140 ns Cycle Time, 28-pin “Green” DIP,-40° C to +85° C,45 year Data Retention 255,89
Ramtron Память 256Kбит, параллельный интерфейс, корпус SOIC28, напряжение питания 2.7-5.5 вольт, температурный диапазон -40+85 126,34 Нет
Ramtron Память 256Kбит, параллельный интерфейс, корпус SOIC28, напряжение питания 2.7-5.5 вольт, температурный диапазон -40+85 256 SOIC28 Параллельный 2.7
Ramtron Память 2Mбит, параллельный интерфейс, корпус TSOP-II-44, напряжение питания 2.7-3.6 вольт, температурный диапазон -40+85
Ramtron Память 2Mбит, параллельный интерфейс, корпус TSOP-II-44, напряжение питания 2.7-3.6 вольт, температурный диапазон -40+85 2000 TSOP-II-44 Параллельный 2.7
Ramtron
Ramtron
Cypress FRAM память, параллельный интерфейс, объем 4 Мбит, питание 2,7-3,6Вольт, корпус 44 TSOP, температура -40+85 4000 TSOP-II-44 Параллельный 2.7
Ramtron FRAM память, параллельный интерфейс, объем 4 Мбит, питание 2,7-3,6Вольт, корпус 44 TSOP, температура -40+85 4000 TSOP-II-44 Параллельный 2.7
Ramtron память FRAM, 4Мбит (256Kx16) или (512Кх8), паралл., 55 нс, 10^14 циклов перезаписи, Uпит=2.7…3.6В, -40°…+85°С, BGA48, Pb-Free
Ramtron память FRAM, 4Мбит (256Kx16) или (512Кх8), паралл., 55 нс, 10^14 циклов перезаписи, Uпит=2.7…3.6В, -40°…+85°С, BGA48, Pb-Free
Ramtron Память F-RAM, объем 512х16 8 МБит, паралл. интерфейс, 100 триллионов циклов перезаписи, время доступа 60нс, напряжение питания 2,7 -3,6 В, максималь
Ramtron Память F-RAM, объем 512х16 8 МБит, паралл. интерфейс, 100 триллионов циклов перезаписи, время доступа 60нс, напряжение питания 2,7 -3,6 В, максималь 8000 FBGA48 Параллельный 2.7
Ramtron Память F-Ram, 256 кбит, время доступа 70 нс, питание 2.0 - 3.6В, макс ток 12 мА, корпус 28 выводов SOIC, -40+85. 256 SOIC28 Параллельный 2
Ramtron Память F-Ram, 256 кбит, время доступа 70 нс, питание 2.0 - 3.6В, макс ток 12 мА, корпус 28 выводов SOIC, -40+85.
Ramtron Память F-Ram, 256 кбит, время доступа 70 нс, напряжение питания 2.0 - 3.6В, максимальный ток 12 мА, корпус 32 вывода TSOP, -40+85. 256 TSOP-I-32 Параллельный 2
Ramtron Память F-Ram, 256 кбит, время доступа 70 нс, напряжение питания 2.0 - 3.6В, максимальный ток 12 мА, корпус 32 вывода TSOP, -40+85.
Ramtron память FRAM, 1Мбит (128Kx8), паралл., 60 нс, 100 трл. циклов перезаписи, Uпит=2.0…3.6В, -40°…+85°С, TSOP-I-32, без свинца 185,81 Нет
Ramtron память FRAM, 1Мбит (128Kx8), паралл., 60 нс, 100 трл. циклов перезаписи, Uпит=2.0…3.6В, -40°…+85°С, TSOP-I-32, без свинца 1000 TSOP-I-32 Параллельный 2
  • Показывать записей
  • 10
  • 30

Вопрос-ответ

Задать вопрос