задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

IGBT модули

IGBT-модули IXYS представлены в нашем каталоге в широком ассортименте. В зависимости от поставленных задач с помощью параметрического поиска можно выбрать IGBT-модули с различным напряжением от 600 до 1700 В. с необходимым коммутируемым током. Также представлены все известные конфигурации и корпуса.

Наименование
MDI100-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 226,77
6 - 11 2 888,52
От 12 2 776,54

Нет в наличии

MDI145-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 571,92
6 - 11 3 198,39
От 12 3 073,37

Нет в наличии

MDI150-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 5 615,21
2 - 3 5 027,69
От 4 4 832,10

Нет в наличии

MDI200-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 6 596,20
2 - 3 5 905,90
От 4 5 675,80

Нет в наличии

MDI300-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 7 687,64
2 - 3 6 883,06
От 4 6 614,61

Нет в наличии

MDI550-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 10 355,27
2 - 3 9 271,50
От 4 8 910,24

В наличии

MDI75-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 2 746,63
6 - 11 2 459,77
От 12 2 363,89

Нет в наличии

MID100-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 226,77
6 - 11 2 888,52
От 12 2 776,54

Нет в наличии

MID145-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 571,92
6 - 11 3 198,39
От 12 3 073,37

Нет в наличии

MID150-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 5 615,21
2 - 3 5 027,69
От 4 4 832,10

Нет в наличии

MID200-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 6 596,20
2 - 3 5 905,90
От 4 5 675,80

Нет в наличии

MID300-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 7 687,64
2 - 3 6 883,06
От 4 6 614,61

Нет в наличии

MID550-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 10 355,27
2 - 3 9 271,50
От 4 8 910,24

В наличии

MID75-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 2 746,63
6 - 11 2 459,77
От 12 2 363,89

Нет в наличии

MIEB100W1200DPFTEH
MIEB101H1200EH
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 4 6 702,81
5 - 9 6 001,01
От 10 5 767,07

Нет в наличии

MIEB101W1200DPFEH
MIEB101W1200EH
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 4 9 235,45
5 - 9 8 269,03
От 10 7 946,89

В наличии

MII100-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 4 253,02
6 - 11 3 808,16
От 12 3 660,12

Нет в наличии

MII145-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 4 944,85
6 - 11 4 427,12
От 12 4 254,55

Нет в наличии

MII150-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 6 928,31
2 - 3 6 203,50
От 4 5 961,89

В наличии

MII200-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 8 624,92
2 - 3 7 722,16
От 4 7 421,49

Нет в наличии

MII300-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 10 424,30
2 - 3 9 332,86
От 4 8 969,30

Нет в наличии

MII75-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 423,12
6 - 11 3 064,93
От 12 2 945,28

Нет в наличии

MITA150H1700TEH
MIXA100PF650YI
MIXA100PM650TMI
MIXA100W1200TEH
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 4 7 778,15
5 - 9 6 964,36
От 10 6 692,84

Нет в наличии

MIXA10W1200TML
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 588,46
10 - 19 1 422,02
От 20 1 366,79

Нет в наличии

MIXA10WB1200TED
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 2 544,14
6 - 11 2 277,99
От 12 2 189,02

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Напряжение, В Ток, А Конфигурация Технология Терморезистор
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, т 3 226,77 Y4-M5 1200 135 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 3 571,92 Y4-M5 1200 160 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 5 615,21 Y3-DCB 1200 180 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 6 596,20 Y3-DCB 1200 270 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 7 687,64 Y3-DCB 1200 330 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 670 А (t=25°C), 460 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,3 В, 10 355,27 Y3-DCB 1200 670 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, те 2 746,63 Y4-M5 1200 90 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, т 3 226,77 Y4-M5 1200 135 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 3 571,92 Y4-M5 1200 160 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 5 615,21 Y3-DCB 1200 180 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 6 596,20 Y3-DCB 1200 270 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 7 687,64 Y3-DCB 1200 330 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 670 А (t=25°C), 460 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,3 В, 10 355,27 Y3-DCB 1200 670 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, те 2 746,63 Y4-M5 1200 90 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), нап E3-pack 1200 183 3-х фазный инвертер SPT + IGBT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: XPT. Конфигурация: полный мост в корпусе E3-pack. Напряжение: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), напряжение насыщения: 6 702,81 E3-pack 1200 183 полный мост XPT Нет
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), нап E3-pack 1200 183 3-х фазный инвертер SPT + IGBT Нет
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), нап 9 235,45 E3-pack 1200 183 3-х фазный инвертер SPT + IGBT Нет
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 4 253,02 Y4-M5 1200 135 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В 4 944,85 Y4-M5 1200 160 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 6 928,31 Y3-DCB 1200 180 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 8 624,92 Y3-DCB 1200 270 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 10 424,30 Y3-DCB 1200 330 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 3 423,12 Y4-M5 1200 90 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль (В РАЗРАБОТКЕ), технология: Trench. Конфигурация: полный мост в корпусе E3-pack. Напряжение: 1700 В, 210 А (t=25°C), 145 А (t=80°C), напр E3-pack 1700 210 полный мост Trench Да
IXYS IGBT-модуль (В РАЗРАБОТКЕ), технология: XPT + XPT2. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 650 В, 144 А (t=25°C), 107 А (t=80°C), напряж Y4-M5 650 144 полумост XPT + XPT2 Да
IXYS IGBT-модуль. Конфигурация: многоуровневый в корпусе MiniPack2B. Напряжение: 650 В. Токи транзисторов T1, T2, T3, T4 (см. рисунок): 150 А (t=25°C), 10 MiniPack2B 650 150 многоуровневый Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 155 А (t=25°C), 108 А (t=80°C), напря 7 778,15 E3-pack 1200 155 3-х фазный инвертер XPT IGBT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E1-pack. Инвертер: 1200 В, 17 А (t=25°C), 12 А (t=80°C), напряже 1 588,46 E1-pack 1200 17 3-х фазный инвертер XPT IGBT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: инвертер, чоппер, выпрямитель в корпусе E2-pack. Выпрямитель: 1600 V, 105 A (t=80°C), 1,1 K/W 2 544,14 E2-pack 1200 17 инвертер, чоппер, выпрямитель XPT IGBT Да
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Доступные для заказа конфигурации IGBT-модулей:

  •  инвертер, чоппер, выпрямитель (CBI),
  • 3-х фазный инвертер (Six-Pack),
  • многоуровневый (Multilevel),
  • Полумост (phase-leg),
  • Полный мост (Full bridge),
  • Полный мост, чоппер, диод (Full bridge, boost stage, bypass diode),
  • Чоппер (Brake / Boost),
  • общий коллектор (Common collector),
  • общий эммитер (Common emitter)

Все вопросы по выбору, цене,срокам и условиям поставок Вы всегда можете задать по e-mail: ixys@eltech.spb.ru

Вопрос-ответ

Задать вопрос