задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

IGBT модули

IGBT-модули IXYS представлены в нашем каталоге в широком ассортименте. В зависимости от поставленных задач с помощью параметрического поиска можно выбрать IGBT-модули с различным напряжением от 600 до 1700 В. с необходимым коммутируемым током. Также представлены все известные конфигурации и корпуса.

Наименование
MDI100-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 474,98
6 - 11 3 110,72
От 12 2 990,12

Нет в наличии

MDI145-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 846,68
6 - 11 3 444,42
От 12 3 309,78

Нет в наличии

MDI150-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 6 047,15
2 - 3 5 414,43
От 4 5 203,80

Нет в наличии

MDI200-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 7 103,60
2 - 3 6 360,20
От 4 6 112,40

Нет в наличии

MDI300-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 8 279,00
2 - 3 7 412,52
От 4 7 123,42

Нет в наличии

MDI550-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 5 335,49

В наличии

MDI75-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 2 957,91
6 - 11 2 648,98
От 12 2 545,73

Нет в наличии

MID100-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 474,98
6 - 11 3 110,72
От 12 2 990,12

Нет в наличии

MID145-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 846,68
6 - 11 3 444,42
От 12 3 309,78

Нет в наличии

MID150-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 6 047,15
2 - 3 5 414,43
От 4 5 203,80

Нет в наличии

MID200-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 7 103,60
2 - 3 6 360,20
От 4 6 112,40

Нет в наличии

MID300-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 8 279,00
2 - 3 7 412,52
От 4 7 123,42

Нет в наличии

MID550-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 5 335,49

В наличии

MID75-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 2 957,91
6 - 11 2 648,98
От 12 2 545,73

Нет в наличии

MIEB100W1200DPFTEH
MIEB101H1200EH
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 4 7 218,41
5 - 9 6 462,62
От 10 6 210,69

Нет в наличии

MIEB101W1200DPFEH
MIEB101W1200EH
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 4 758,44

В наличии

MII100-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 4 580,17
6 - 11 4 101,09
От 12 3 941,67

Нет в наличии

MII145-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 5 325,22
6 - 11 4 767,67
От 12 4 581,82

Нет в наличии

MII150-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 2 786,69

В наличии

MII200-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 9 288,37
2 - 3 8 316,17
От 4 7 992,38

Нет в наличии

MII300-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 11 226,17
2 - 3 10 050,77
От 4 9 659,24

Нет в наличии

MII75-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 686,44
6 - 11 3 300,70
От 12 3 171,84

Нет в наличии

MITA150H1700TEH
MIXA100PF650YI
MIXA100PM650TMI
MIXA100W1200TEH
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 4 8 376,47
5 - 9 7 500,08
От 10 7 207,68

Нет в наличии

MIXA10W1200TML
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 710,65
10 - 19 1 531,40
От 20 1 471,93

Нет в наличии

MIXA10WB1200TED
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 2 739,84
6 - 11 2 453,22
От 12 2 357,40

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Напряжение, В Распродажа компонентов Ток, А Конфигурация Технология Терморезистор
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, т 3 474,98 Y4-M5 1200 135 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 3 846,68 Y4-M5 1200 160 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 6 047,15 Y3-DCB 1200 180 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 7 103,60 Y3-DCB 1200 270 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 8 279,00 Y3-DCB 1200 330 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 670 А (t=25°C), 460 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,3 В, 5 335,49 Y3-DCB 1200 Да 670 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, те 2 957,91 Y4-M5 1200 90 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, т 3 474,98 Y4-M5 1200 135 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 3 846,68 Y4-M5 1200 160 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 6 047,15 Y3-DCB 1200 180 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 7 103,60 Y3-DCB 1200 270 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 8 279,00 Y3-DCB 1200 330 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 670 А (t=25°C), 460 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,3 В, 5 335,49 Y3-DCB 1200 Да 670 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, те 2 957,91 Y4-M5 1200 90 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), нап E3-pack 1200 183 3-х фазный инвертер SPT + IGBT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: XPT. Конфигурация: полный мост в корпусе E3-pack. Напряжение: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), напряжение насыщения: 7 218,41 E3-pack 1200 183 полный мост XPT Нет
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), нап E3-pack 1200 183 3-х фазный инвертер SPT + IGBT Нет
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), нап 4 758,44 E3-pack 1200 Да 183 3-х фазный инвертер SPT + IGBT Нет
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 4 580,17 Y4-M5 1200 135 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В 5 325,22 Y4-M5 1200 160 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 2 786,69 Y3-DCB 1200 Да 180 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 9 288,37 Y3-DCB 1200 270 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 11 226,17 Y3-DCB 1200 330 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 3 686,44 Y4-M5 1200 90 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль (В РАЗРАБОТКЕ), технология: Trench. Конфигурация: полный мост в корпусе E3-pack. Напряжение: 1700 В, 210 А (t=25°C), 145 А (t=80°C), напр E3-pack 1700 210 полный мост Trench Да
IXYS IGBT-модуль (В РАЗРАБОТКЕ), технология: XPT + XPT2. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 650 В, 144 А (t=25°C), 107 А (t=80°C), напряж Y4-M5 650 144 полумост XPT + XPT2 Да
IXYS IGBT-модуль. Конфигурация: многоуровневый в корпусе MiniPack2B. Напряжение: 650 В. Токи транзисторов T1, T2, T3, T4 (см. рисунок): 150 А (t=25°C), 10 MiniPack2B 650 150 многоуровневый Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 155 А (t=25°C), 108 А (t=80°C), напря 8 376,47 E3-pack 1200 155 3-х фазный инвертер XPT IGBT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E1-pack. Инвертер: 1200 В, 17 А (t=25°C), 12 А (t=80°C), напряже 1 710,65 E1-pack 1200 17 3-х фазный инвертер XPT IGBT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: инвертер, чоппер, выпрямитель в корпусе E2-pack. Выпрямитель: 1600 V, 105 A (t=80°C), 1,1 K/W 2 739,84 E2-pack 1200 17 инвертер, чоппер, выпрямитель XPT IGBT Да
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Доступные для заказа конфигурации IGBT-модулей:

  •  инвертер, чоппер, выпрямитель (CBI),
  • 3-х фазный инвертер (Six-Pack),
  • многоуровневый (Multilevel),
  • Полумост (phase-leg),
  • Полный мост (Full bridge),
  • Полный мост, чоппер, диод (Full bridge, boost stage, bypass diode),
  • Чоппер (Brake / Boost),
  • общий коллектор (Common collector),
  • общий эммитер (Common emitter)

Все вопросы по выбору, цене,срокам и условиям поставок Вы всегда можете задать по e-mail: ixys@eltech.spb.ru

Вопрос-ответ

Задать вопрос