задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

IGBT модули

IGBT-модули IXYS представлены в нашем каталоге в широком ассортименте. В зависимости от поставленных задач с помощью параметрического поиска можно выбрать IGBT-модули с различным напряжением от 600 до 1700 В. с необходимым коммутируемым током. Также представлены все известные конфигурации и корпуса.

Наименование
MDI100-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 053,03
6 - 11 2 732,99
От 12 2 627,03

Нет в наличии

MDI145-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 379,59
6 - 11 3 026,17
От 12 2 907,89

Нет в наличии

MDI150-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 5 312,86
2 - 3 4 756,97
От 4 4 571,91

Нет в наличии

MDI200-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 6 241,02
2 - 3 5 587,89
От 4 5 370,18

Нет в наличии

MDI300-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 7 273,70
2 - 3 6 512,43
От 4 6 258,44

Нет в наличии

MDI550-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 9 797,68
2 - 3 8 772,26
От 4 8 430,46

В наличии

MDI75-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 2 598,74
6 - 11 2 327,33
От 12 2 236,61

Нет в наличии

MID100-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 053,03
6 - 11 2 732,99
От 12 2 627,03

Нет в наличии

MID145-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 379,59
6 - 11 3 026,17
От 12 2 907,89

Нет в наличии

MID150-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 5 312,86
2 - 3 4 756,97
От 4 4 571,91

Нет в наличии

MID200-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 6 241,02
2 - 3 5 587,89
От 4 5 370,18

Нет в наличии

MID300-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 7 273,70
2 - 3 6 512,43
От 4 6 258,44

Нет в наличии

MID550-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 9 797,68
2 - 3 8 772,26
От 4 8 430,46

В наличии

MID75-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 2 598,74
6 - 11 2 327,33
От 12 2 236,61

Нет в наличии

MIEB100W1200DPFTEH
MIEB101H1200EH
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 4 6 341,90
5 - 9 5 677,88
От 10 5 456,54

Нет в наличии

MIEB101W1200DPFEH
MIEB101W1200EH
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 4 8 738,16
5 - 9 7 823,78
От 10 7 518,98

В наличии

MII100-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 4 024,01
6 - 11 3 603,11
От 12 3 463,04

Нет в наличии

MII145-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 4 678,59
6 - 11 4 188,74
От 12 4 025,46

Нет в наличии

MII150-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 6 555,25
2 - 3 5 869,46
От 4 5 640,87

В наличии

MII200-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 8 160,50
2 - 3 7 306,35
От 4 7 021,87

Нет в наличии

MII300-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 9 862,99
2 - 3 8 830,32
От 4 8 486,34

Нет в наличии

MII75-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 238,81
6 - 11 2 899,90
От 12 2 786,69

Нет в наличии

MITA150H1700TEH
MIXA100PF650YI
MIXA100PM650TMI
MIXA100W1200TEH
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 4 7 359,33
5 - 9 6 589,36
От 10 6 332,46

Нет в наличии

MIXA10W1200TML
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 502,93
10 - 19 1 345,45
От 20 1 293,20

Нет в наличии

MIXA10WB1200TED
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 2 407,15
6 - 11 2 155,33
От 12 2 071,15

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Напряжение, В Ток, А Конфигурация Технология Терморезистор
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, т 3 053,03 Y4-M5 1200 135 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 3 379,59 Y4-M5 1200 160 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 5 312,86 Y3-DCB 1200 180 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 6 241,02 Y3-DCB 1200 270 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 7 273,70 Y3-DCB 1200 330 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 670 А (t=25°C), 460 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,3 В, 9 797,68 Y3-DCB 1200 670 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, те 2 598,74 Y4-M5 1200 90 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, т 3 053,03 Y4-M5 1200 135 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 3 379,59 Y4-M5 1200 160 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 5 312,86 Y3-DCB 1200 180 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 6 241,02 Y3-DCB 1200 270 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 7 273,70 Y3-DCB 1200 330 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 670 А (t=25°C), 460 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,3 В, 9 797,68 Y3-DCB 1200 670 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, те 2 598,74 Y4-M5 1200 90 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), нап E3-pack 1200 183 3-х фазный инвертер SPT + IGBT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: XPT. Конфигурация: полный мост в корпусе E3-pack. Напряжение: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), напряжение насыщения: 6 341,90 E3-pack 1200 183 полный мост XPT Нет
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), нап E3-pack 1200 183 3-х фазный инвертер SPT + IGBT Нет
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), нап 8 738,16 E3-pack 1200 183 3-х фазный инвертер SPT + IGBT Нет
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 4 024,01 Y4-M5 1200 135 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В 4 678,59 Y4-M5 1200 160 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 6 555,25 Y3-DCB 1200 180 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 8 160,50 Y3-DCB 1200 270 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 9 862,99 Y3-DCB 1200 330 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 3 238,81 Y4-M5 1200 90 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль (В РАЗРАБОТКЕ), технология: Trench. Конфигурация: полный мост в корпусе E3-pack. Напряжение: 1700 В, 210 А (t=25°C), 145 А (t=80°C), напр E3-pack 1700 210 полный мост Trench Да
IXYS IGBT-модуль (В РАЗРАБОТКЕ), технология: XPT + XPT2. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 650 В, 144 А (t=25°C), 107 А (t=80°C), напряж Y4-M5 650 144 полумост XPT + XPT2 Да
IXYS IGBT-модуль. Конфигурация: многоуровневый в корпусе MiniPack2B. Напряжение: 650 В. Токи транзисторов T1, T2, T3, T4 (см. рисунок): 150 А (t=25°C), 10 MiniPack2B 650 150 многоуровневый Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 155 А (t=25°C), 108 А (t=80°C), напря 7 359,33 E3-pack 1200 155 3-х фазный инвертер XPT IGBT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E1-pack. Инвертер: 1200 В, 17 А (t=25°C), 12 А (t=80°C), напряже 1 502,93 E1-pack 1200 17 3-х фазный инвертер XPT IGBT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: инвертер, чоппер, выпрямитель в корпусе E2-pack. Выпрямитель: 1600 V, 105 A (t=80°C), 1,1 K/W 2 407,15 E2-pack 1200 17 инвертер, чоппер, выпрямитель XPT IGBT Да
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Доступные для заказа конфигурации IGBT-модулей:

  •  инвертер, чоппер, выпрямитель (CBI),
  • 3-х фазный инвертер (Six-Pack),
  • многоуровневый (Multilevel),
  • Полумост (phase-leg),
  • Полный мост (Full bridge),
  • Полный мост, чоппер, диод (Full bridge, boost stage, bypass diode),
  • Чоппер (Brake / Boost),
  • общий коллектор (Common collector),
  • общий эммитер (Common emitter)

Все вопросы по выбору, цене,срокам и условиям поставок Вы всегда можете задать по e-mail: ixys@eltech.spb.ru

Вопрос-ответ

Задать вопрос