задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

IGBT модули

IGBT-модули IXYS представлены в нашем каталоге в широком ассортименте. В зависимости от поставленных задач с помощью параметрического поиска можно выбрать IGBT-модули с различным напряжением от 600 до 1700 В. с необходимым коммутируемым током. Также представлены все известные конфигурации и корпуса.

Наименование
MDI100-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 524,62
6 - 11 3 155,15
От 12 3 032,84

Нет в наличии

MDI145-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 901,63
6 - 11 3 493,63
От 12 3 357,06

Нет в наличии

MDI150-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 6 133,53
2 - 3 5 491,78
От 4 5 278,14

Нет в наличии

MDI200-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 7 205,08
2 - 3 6 451,06
От 4 6 199,72

Нет в наличии

MDI300-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 8 397,27
2 - 3 7 518,42
От 4 7 225,19

Нет в наличии

MDI550-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 11 311,14
2 - 3 10 127,33
От 4 9 732,72

В наличии

MDI75-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 000,16
6 - 11 2 686,82
От 12 2 582,10

Нет в наличии

MID100-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 524,62
6 - 11 3 155,15
От 12 3 032,84

Нет в наличии

MID145-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 901,63
6 - 11 3 493,63
От 12 3 357,06

Нет в наличии

MID150-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 6 133,53
2 - 3 5 491,78
От 4 5 278,14

Нет в наличии

MID200-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 7 205,08
2 - 3 6 451,06
От 4 6 199,72

Нет в наличии

MID300-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 8 397,27
2 - 3 7 518,42
От 4 7 225,19

Нет в наличии

MID550-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 11 311,14
2 - 3 10 127,33
От 4 9 732,72

В наличии

MID75-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 000,16
6 - 11 2 686,82
От 12 2 582,10

Нет в наличии

MIEB100W1200DPFTEH
MIEB101H1200EH
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 4 7 321,53
5 - 9 6 554,95
От 10 6 299,42

Нет в наличии

MIEB101W1200DPFEH
MIEB101W1200EH
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 4 10 087,95
5 - 9 9 032,32
От 10 8 680,45

В наличии

MII100-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 4 645,60
6 - 11 4 159,68
От 12 3 997,98

Нет в наличии

MII145-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 5 401,30
6 - 11 4 835,78
От 12 4 647,28

Нет в наличии

MII150-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 7 567,85
2 - 3 6 776,13
От 4 6 512,22

В наличии

MII200-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 9 421,06
2 - 3 8 434,97
От 4 8 106,55

Нет в наличии

MII300-12A4
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 1 11 386,54
2 - 3 10 194,35
От 4 9 797,23

Нет в наличии

MII75-12A3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 3 739,10
6 - 11 3 347,85
От 12 3 217,15

Нет в наличии

MITA150H1700TEH
MIXA100PF650YI
MIXA100PM650TMI
MIXA100W1200TEH
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 4 8 496,13
5 - 9 7 607,22
От 10 7 310,64

Нет в наличии

MIXA10W1200TML
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 735,08
10 - 19 1 553,28
От 20 1 492,96

Нет в наличии

MIXA10WB1200TED
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 5 2 778,98
6 - 11 2 488,27
От 12 2 391,08

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Напряжение, В Ток, А Конфигурация Технология Терморезистор
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, т 3 524,62 Y4-M5 1200 135 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 3 901,63 Y4-M5 1200 160 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 6 133,53 Y3-DCB 1200 180 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 7 205,08 Y3-DCB 1200 270 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 8 397,27 Y3-DCB 1200 330 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 670 А (t=25°C), 460 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,3 В, 11 311,14 Y3-DCB 1200 670 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, те 3 000,16 Y4-M5 1200 90 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, т 3 524,62 Y4-M5 1200 135 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 3 901,63 Y4-M5 1200 160 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 6 133,53 Y3-DCB 1200 180 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 7 205,08 Y3-DCB 1200 270 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 8 397,27 Y3-DCB 1200 330 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 670 А (t=25°C), 460 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,3 В, 11 311,14 Y3-DCB 1200 670 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: чоппер в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, те 3 000,16 Y4-M5 1200 90 чоппер NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), нап E3-pack 1200 183 3-х фазный инвертер SPT + IGBT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: XPT. Конфигурация: полный мост в корпусе E3-pack. Напряжение: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), напряжение насыщения: 7 321,53 E3-pack 1200 183 полный мост XPT Нет
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), нап E3-pack 1200 183 3-х фазный инвертер SPT + IGBT Нет
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V SPT + IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 183 А (t=25°C), 128 А (t=80°C), нап 10 087,95 E3-pack 1200 183 3-х фазный инвертер SPT + IGBT Нет
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 135 А (t=25°C), 90 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 4 645,60 Y4-M5 1200 135 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 160 А (t=25°C), 110 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В 5 401,30 Y4-M5 1200 160 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 180 А (t=25°C), 120 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 7 567,85 Y3-DCB 1200 180 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 270 А (t=25°C), 180 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 9 421,06 Y3-DCB 1200 270 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y3-DCB. Напряжение: 1200 В, 330 А (t=25°C), 220 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 11 386,54 Y3-DCB 1200 330 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: NPT. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 1200 В, 90 А (t=25°C), 60 А (t=80°C), напряжение насыщения: 2,2 В, 3 739,10 Y4-M5 1200 90 полумост NPT Да
IXYS IGBT-модуль (В РАЗРАБОТКЕ), технология: Trench. Конфигурация: полный мост в корпусе E3-pack. Напряжение: 1700 В, 210 А (t=25°C), 145 А (t=80°C), напр E3-pack 1700 210 полный мост Trench Да
IXYS IGBT-модуль (В РАЗРАБОТКЕ), технология: XPT + XPT2. Конфигурация: полумост в корпусе Y4-M5. Напряжение: 650 В, 144 А (t=25°C), 107 А (t=80°C), напряж Y4-M5 650 144 полумост XPT + XPT2 Да
IXYS IGBT-модуль. Конфигурация: многоуровневый в корпусе MiniPack2B. Напряжение: 650 В. Токи транзисторов T1, T2, T3, T4 (см. рисунок): 150 А (t=25°C), 10 MiniPack2B 650 150 многоуровневый Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E3-pack. Инвертер: 1200 В, 155 А (t=25°C), 108 А (t=80°C), напря 8 496,13 E3-pack 1200 155 3-х фазный инвертер XPT IGBT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: 3-х фазный инвертер в корпусе E1-pack. Инвертер: 1200 В, 17 А (t=25°C), 12 А (t=80°C), напряже 1 735,08 E1-pack 1200 17 3-х фазный инвертер XPT IGBT Да
IXYS IGBT-модуль, технология: 1200V XPT IGBT. Конфигурация: инвертер, чоппер, выпрямитель в корпусе E2-pack. Выпрямитель: 1600 V, 105 A (t=80°C), 1,1 K/W 2 778,98 E2-pack 1200 17 инвертер, чоппер, выпрямитель XPT IGBT Да
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Доступные для заказа конфигурации IGBT-модулей:

  •  инвертер, чоппер, выпрямитель (CBI),
  • 3-х фазный инвертер (Six-Pack),
  • многоуровневый (Multilevel),
  • Полумост (phase-leg),
  • Полный мост (Full bridge),
  • Полный мост, чоппер, диод (Full bridge, boost stage, bypass diode),
  • Чоппер (Brake / Boost),
  • общий коллектор (Common collector),
  • общий эммитер (Common emitter)

Все вопросы по выбору, цене,срокам и условиям поставок Вы всегда можете задать по e-mail: ixys@eltech.spb.ru

Вопрос-ответ

Задать вопрос