задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

IGBT транзисторы

В силовой электронике широко используются IGBT-транзисторы, в русскоязычной терминологии также известные как биполярные транзисторы с изолированным затвором. Они представляют собой гибрид биполярного и полевого транзисторного устройства, включающий преимущества каждого из них. Эти транзисторы работают как мощный электрический ключ, который ставится в инверторы, импульсные источники питания и системы управления электроприводов. У нас можно купить IGBT-элементы таких производителей, как Toshiba, IXYS и Renesas Electronics. В каталоге представлено несколько сотен образцов, которые можно подбирать по конфигурации, рабочим параметрам, цене и наличию на складе.

Наименование
GN2470K4-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 249 52,06
250 - 999 47,61
От 1000 46,93

Нет в наличии

IRGP50B60PDPBF
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 171,31

В наличии

ITF38IF1200HJ
IX169X12A
IXA12IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 207,33
30 - 59 185,02
От 60 178,42

Нет в наличии

IXA12IF1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 87,00

В наличии

IXA12IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 266,80
30 - 59 238,71
От 60 229,63

Нет в наличии

IXA17IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 333,70
30 - 59 299,01
От 60 287,45

Нет в наличии

IXA20I1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 194,11
50 - 99 173,46
От 100 166,85

Нет в наличии

IXA20I1200PZ
IXA20IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 303,97
30 - 59 271,75
От 60 261,84

Нет в наличии

IXA220I650NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 2 012,96
10 - 19 1 802,33
От 20 1 732,12

Нет в наличии

IXA27IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 403,09
30 - 59 360,96
От 60 346,92

Нет в наличии

IXA33IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 406,39
30 - 59 364,27
От 60 349,40

Нет в наличии

IXA37IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 488,99
30 - 59 437,78
От 60 420,43

Нет в наличии

IXA40I4000KN
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 4 794,93
25 - 49 4 293,55
От 50 4 125,87

В наличии

IXA45IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 483,21
30 - 59 432,82
От 60 416,30

Нет в наличии

IXA4I1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 2499 68,56
2500 - 4999 61,12
От 5000 58,65

Нет в наличии

IXA4IF1200PZ
IXA4IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 202,37
30 - 59 181,72
От 60 174,29

Нет в наличии

IXA4IF1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 2499 85,08
2500 - 4999 75,99
От 5000 72,69

Нет в наличии

IXA55I1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 701,27
30 - 59 627,76
От 60 603,81

Нет в наличии

IXA60IF1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 695,99

В наличии

IXA70I1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 228,26
10 - 19 1 099,41
От 20 1 056,45

Нет в наличии

IXA70R1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 745,61

В наличии

IXBA10N300HV
IXBA14N300HV
IXBA16N170AHV
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 479,08
50 - 99 429,52
От 100 412,17

Нет в наличии

IXBF10N300C
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 3 434,51
30 - 59 3 075,20
От 60 2 955,43

Нет в наличии

IXBF14N300
Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Напряжение, В Рабочее напряжение, В Распродажа компонентов Ток, А Падение напряжения, В Обратный диод Конфигурация
Microchip Technology INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 700V, 3.5A, 3 DPAK T/R 52,06
Infineon IGBT DISCRETES 171,31
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V Fast Trench IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 52 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 42 А. Класс ISOPLUS247™ 1200 V 52
IXYS кристалл IGBT
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 207,33 TO-247AD 1200 V 20
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-220AB. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 87,00 TO-220AB 1200 V Да 20
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 266,80 TO-268AA 1200 V 20
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 19 А. Клас 333,70 ISOPLUS247™ 1200 V 28
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-220AB. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 194,11 TO-220AB 1200 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц TO-263ABHV 1200 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 24 А. Класс п 303,97 TO-247AD 1200 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 650 V. Технология 650V XPT™ IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 335 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 2 012,96 SOT-227B MiniBLOC 650 V 335
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 43 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 403,09 ISOPLUS247™ 1200 V 43
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 406,39 TO-247AD 1200 V 58
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 488,99 ISOPLUS247™ 1200 V 58
IXYS IGBT-транзистор, 4000 V. Технология NPT IGBTs. Рабочий ток (t=25 °C): 80 А. Корпус: PLUS264. Класс переключения: A3 Class, более 5 кГц. Время переклю 4 794,93 PLUS264 4000 80 2.7 Нет Single
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 78 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 483,21 TO-247AD 1200 V 78
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Э 68,56 TO-252AA 1200 V 9
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-263ABHV. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс п TO-263ABHV 1200 V 9
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 202,37 TO-268AA 1200 V 9
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 85,08 TO-252AA 1200 V 9
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 84 А. Корпус: ISOPLUS247™. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГ 701,27 ISOPLUS247™ 1200 V 84
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 88 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 51 А 695,99 SOT-227B MiniBLOC 1200 Да 88 1.8 Да Copack(Sonic-FRD)
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 2 1 228,26 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 100
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 55 745,61 SOT-227B MiniBLOC 1200 Да 100 1.8 Да Boost
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 34 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 2010 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 34
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1700 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 16 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 25°C): 150 нс. Энергия выключ 479,08 TO-263ABHV 1700 V 16
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 29 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 165 нс. Энергия в 3 434,51 ISOPLUS i4-PAC 2500 V 29
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия ISOPLUS i4-PAC 2500 V 28
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Современные IGBT-транзисторы как правило не работают в линейном режиме, их параметры оптимизируются для работы на определенных частотах. При работе на этих частотах IGBT-транзисторы имеют минимальные потери при переключении и обеспечивают максимальный КПД переключающей схеме.

При подборе подходящих транзисторов можно воспользоваться помощью наших консультантов, оптовые покупатели получают значительные скидки.

Вопрос-ответ

Задать вопрос