задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

IGBT транзисторы

В силовой электронике широко используются IGBT-транзисторы, в русскоязычной терминологии также известные как биполярные транзисторы с изолированным затвором. Они представляют собой гибрид биполярного и полевого транзисторного устройства, включающий преимущества каждого из них. Эти транзисторы работают как мощный электрический ключ, который ставится в инверторы, импульсные источники питания и системы управления электроприводов. У нас можно купить IGBT-элементы таких производителей, как Toshiba, IXYS и Renesas Electronics. В каталоге представлено несколько сотен образцов, которые можно подбирать по конфигурации, рабочим параметрам, цене и наличию на складе.

Наименование
GN2470K4-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 249 38,26
250 - 999 36,37
От 1000 34,70

Нет в наличии

ITF38IF1200HJ
IXA12IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 210,29
30 - 59 187,67
От 60 180,96

Нет в наличии

IXA12IF1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 184,32
50 - 99 165,05
От 100 158,34

В наличии

IXA12IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 270,61
30 - 59 242,12
От 60 232,91

Нет в наличии

IXA17IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 338,47
30 - 59 303,28
От 60 291,55

Нет в наличии

IXA20I1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 196,88
50 - 99 175,94
От 100 169,24

Нет в наличии

IXA20I1200PZ
IXA20IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 308,31
30 - 59 275,64
От 60 265,58

Нет в наличии

IXA220I650NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 2 041,72
10 - 19 1 828,08
От 20 1 756,87

Нет в наличии

IXA27IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 408,85
30 - 59 366,12
От 60 351,88

Нет в наличии

IXA33IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 412,20
30 - 59 369,47
От 60 354,39

Нет в наличии

IXA37IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 495,98
30 - 59 444,03
От 60 426,44

Нет в наличии

IXA40I4000KN
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 4 863,43
25 - 49 4 354,88
От 50 4 184,81

В наличии

IXA45IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 490,11
30 - 59 439,01
От 60 422,25

Нет в наличии

IXA4I1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 2499 69,54
2500 - 4999 62,00
От 5000 59,48

Нет в наличии

IXA4IF1200PZ
IXA4IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 205,26
30 - 59 184,32
От 60 176,78

Нет в наличии

IXA4IF1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 2499 86,29
2500 - 4999 77,08
От 5000 73,73

Нет в наличии

IXA55I1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 711,29
30 - 59 636,73
От 60 612,43

Нет в наличии

IXA60IF1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 475,37
10 - 19 1 321,21
От 20 1 270,10

В наличии

IXA70I1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 245,81
10 - 19 1 115,11
От 20 1 071,55

Нет в наличии

IXA70R1200NA
IXBA10N300HV
IXBA14N300HV
IXBA16N170AHV
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 485,92
50 - 99 435,66
От 100 418,06

Нет в наличии

IXBF10N300C
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 3 483,57
30 - 59 3 119,13
От 60 2 997,65

Нет в наличии

IXBF14N300
IXBF15N300C
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 4 222,51
30 - 59 3 780,99
От 60 3 633,54

Нет в наличии

IXBF20N360
Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Напряжение, В Рабочее напряжение, В Ток, А Падение напряжения, В Обратный диод Встроенный термодатчик (NTC) Конфигурация Дополнительно Класс переключения
Microchip Technology INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 700V, 3.5A, 3 DPAK T/R 38,26
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V Fast Trench IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 52 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 42 А. Класс ISOPLUS247™ 1200 V 52 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 210,29 TO-247AD 1200 V 20 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-220AB. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 184,32 TO-220AB 1200 V 20 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 270,61 TO-268AA 1200 V 20 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 19 А. Клас 338,47 ISOPLUS247™ 1200 V 28 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-220AB. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 196,88 TO-220AB 1200 V 38 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц TO-263ABHV 1200 V 38 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 24 А. Класс п 308,31 TO-247AD 1200 V 38 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 650 V. Технология 650V XPT™ IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 335 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 2 041,72 SOT-227B MiniBLOC 650 V 335 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 43 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 408,85 ISOPLUS247™ 1200 V 43 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 412,20 TO-247AD 1200 V 58 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 495,98 ISOPLUS247™ 1200 V 58 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 4000 V. Технология NPT IGBTs. Рабочий ток (t=25 °C): 80 А. Корпус: PLUS264. Класс переключения: A3 Class, более 5 кГц. Время переклю 4 863,43 PLUS264 4000 V 80 A3 Class, более 5 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 78 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 490,11 TO-247AD 1200 V 78 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Э 69,54 TO-252AA 1200 V 9 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-263ABHV. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс п TO-263ABHV 1200 V 9 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 205,26 TO-268AA 1200 V 9 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 86,29 TO-252AA 1200 V 9 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 84 А. Корпус: ISOPLUS247™. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГ 711,29 ISOPLUS247™ 1200 V 84 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 88 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 51 А 1 475,37 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 88 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 2 1 245,81 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 100 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 55 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 100 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 34 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 2010 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 34
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1700 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 16 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 25°C): 150 нс. Энергия выключ 485,92 TO-263ABHV 1700 V 16
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 29 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 165 нс. Энергия в 3 483,57 ISOPLUS i4-PAC 2500 V 29
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия ISOPLUS i4-PAC 2500 V 28
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 37 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 150 нс. Энергия в 4 222,51 ISOPLUS i4-PAC 2500 V 37
IXYS IGBT-транзистор, 3600 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 45 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1100 нс. Энергия ISOPLUS i4-PAC 3600 V 45
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Современные IGBT-транзисторы как правило не работают в линейном режиме, их параметры оптимизируются для работы на определенных частотах. При работе на этих частотах IGBT-транзисторы имеют минимальные потери при переключении и обеспечивают максимальный КПД переключающей схеме.

При подборе подходящих транзисторов можно воспользоваться помощью наших консультантов, оптовые покупатели получают значительные скидки.

Вопрос-ответ

Задать вопрос