задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

IGBT транзисторы

В силовой электронике широко используются IGBT-транзисторы, в русскоязычной терминологии также известные как биполярные транзисторы с изолированным затвором. Они представляют собой гибрид биполярного и полевого транзисторного устройства, включающий преимущества каждого из них. Эти транзисторы работают как мощный электрический ключ, который ставится в инверторы, импульсные источники питания и системы управления электроприводов. У нас можно купить IGBT-элементы таких производителей, как Toshiba, IXYS и Renesas Electronics. В каталоге представлено несколько сотен образцов, которые можно подбирать по конфигурации, рабочим параметрам, цене и наличию на складе.

Наименование
GN2470K4-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 999 39,42
От 1000 35,48

Нет в наличии

ITF38IF1200HJ
IXA12IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 182,16
30 - 59 162,56
От 60 156,75

Нет в наличии

IXA12IF1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 159,65
50 - 99 142,97
От 100 137,16

В наличии

IXA12IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 234,41
30 - 59 209,73
От 60 201,74

Нет в наличии

IXA17IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 293,18
30 - 59 262,70
От 60 252,54

Нет в наличии

IXA20I1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 170,55
50 - 99 152,40
От 100 146,59

Нет в наличии

IXA20I1200PZ
IXA20IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 267,06
30 - 59 238,76
От 60 230,05

Нет в наличии

IXA220I650NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 768,54
10 - 19 1 583,48
От 20 1 521,80

Нет в наличии

IXA27IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 354,14
30 - 59 317,14
От 60 304,79

Нет в наличии

IXA33IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 357,04
30 - 59 320,04
От 60 306,98

Нет в наличии

IXA37IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 429,61
30 - 59 384,62
От 60 369,39

Нет в наличии

IXA40I4000KN
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 4 212,69
25 - 49 3 772,19
От 50 3 624,88

В наличии

IXA45IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 424,54
30 - 59 380,27
От 60 365,75

Нет в наличии

IXA4I1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 2499 60,24
2500 - 4999 53,70
От 5000 51,53

Нет в наличии

IXA4IF1200PZ
IXA4IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 177,80
30 - 59 159,65
От 60 153,13

Нет в наличии

IXA4IF1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 2499 74,75
2500 - 4999 66,76
От 5000 63,86

Нет в наличии

IXA55I1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 616,13
30 - 59 551,53
От 60 530,49

Нет в наличии

IXA60IF1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 277,96
10 - 19 1 144,43
От 20 1 100,16

В наличии

IXA70I1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 079,12
10 - 19 965,91
От 20 928,18

Нет в наличии

IXA70R1200NA
IXBA10N300HV
IXBA14N300HV
IXBA16N170AHV
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 420,91
50 - 99 377,36
От 100 362,13

Нет в наличии

IXBF10N300C
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 3 017,46
30 - 59 2 701,79
От 60 2 596,55

Нет в наличии

IXBF14N300
IXBF15N300C
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 3 657,53
30 - 59 3 275,09
От 60 3 147,37

Нет в наличии

IXBF20N360
Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Напряжение, В Рабочее напряжение, В Ток, А Падение напряжения, В Обратный диод Встроенный термодатчик (NTC) Конфигурация Дополнительно Класс переключения
Microchip Technology INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 700V, 3.5A, 3 DPAK T/R 39,42
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V Fast Trench IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 52 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 42 А. Класс ISOPLUS247™ 1200 V 52 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 182,16 TO-247AD 1200 V 20 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-220AB. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 159,65 TO-220AB 1200 V 20 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 234,41 TO-268AA 1200 V 20 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 19 А. Клас 293,18 ISOPLUS247™ 1200 V 28 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-220AB. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 170,55 TO-220AB 1200 V 38 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц TO-263ABHV 1200 V 38 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 24 А. Класс п 267,06 TO-247AD 1200 V 38 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 650 V. Технология 650V XPT™ IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 335 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 1 768,54 SOT-227B MiniBLOC 650 V 335 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 43 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 354,14 ISOPLUS247™ 1200 V 43 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 357,04 TO-247AD 1200 V 58 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 429,61 ISOPLUS247™ 1200 V 58 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 4000 V. Технология NPT IGBTs. Рабочий ток (t=25 °C): 80 А. Корпус: PLUS264. Класс переключения: A3 Class, более 5 кГц. Время переклю 4 212,69 PLUS264 4000 V 80 A3 Class, более 5 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 78 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 424,54 TO-247AD 1200 V 78 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Э 60,24 TO-252AA 1200 V 9 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-263ABHV. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс п TO-263ABHV 1200 V 9 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 177,80 TO-268AA 1200 V 9 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 74,75 TO-252AA 1200 V 9 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 84 А. Корпус: ISOPLUS247™. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГ 616,13 ISOPLUS247™ 1200 V 84 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 88 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 51 А 1 277,96 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 88 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 2 1 079,12 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 100 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 55 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 100 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 34 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 2010 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 34
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1700 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 16 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 25°C): 150 нс. Энергия выключ 420,91 TO-263ABHV 1700 V 16
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 29 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 165 нс. Энергия в 3 017,46 ISOPLUS i4-PAC 2500 V 29
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия ISOPLUS i4-PAC 2500 V 28
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 37 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 150 нс. Энергия в 3 657,53 ISOPLUS i4-PAC 2500 V 37
IXYS IGBT-транзистор, 3600 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 45 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1100 нс. Энергия ISOPLUS i4-PAC 3600 V 45
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Современные IGBT-транзисторы как правило не работают в линейном режиме, их параметры оптимизируются для работы на определенных частотах. При работе на этих частотах IGBT-транзисторы имеют минимальные потери при переключении и обеспечивают максимальный КПД переключающей схеме.

При подборе подходящих транзисторов можно воспользоваться помощью наших консультантов, оптовые покупатели получают значительные скидки.

Вопрос-ответ

Задать вопрос