задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

IGBT транзисторы

В силовой электронике широко используются IGBT-транзисторы, в русскоязычной терминологии также известные как биполярные транзисторы с изолированным затвором. Они представляют собой гибрид биполярного и полевого транзисторного устройства, включающий преимущества каждого из них. Эти транзисторы работают как мощный электрический ключ, который ставится в инверторы, импульсные источники питания и системы управления электроприводов. У нас можно купить IGBT-элементы таких производителей, как Toshiba, IXYS и Renesas Electronics. В каталоге представлено несколько сотен образцов, которые можно подбирать по конфигурации, рабочим параметрам, цене и наличию на складе.

Наименование
GN2470K4-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 249 35,92
250 - 999 34,15
От 1000 32,59

Нет в наличии

ITF38IF1200HJ
IXA12IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 192,52
30 - 59 171,81
От 60 165,67

Нет в наличии

IXA12IF1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 168,74
50 - 99 151,10
От 100 144,96

В наличии

IXA12IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 247,74
30 - 59 221,66
От 60 213,23

Нет в наличии

IXA17IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 309,87
30 - 59 277,65
От 60 266,92

Нет в наличии

IXA20I1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 180,25
50 - 99 161,07
От 100 154,93

Нет в наличии

IXA20I1200PZ
IXA20IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 282,26
30 - 59 252,34
От 60 243,14

Нет в наличии

IXA220I650NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 869,18
10 - 19 1 673,59
От 20 1 608,40

Нет в наличии

IXA27IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 374,30
30 - 59 335,18
От 60 322,14

Нет в наличии

IXA33IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 377,36
30 - 59 338,25
От 60 324,44

Нет в наличии

IXA37IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 454,06
30 - 59 406,51
От 60 390,40

Нет в наличии

IXA40I4000KN
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 4 452,44
25 - 49 3 986,87
От 50 3 831,17

В наличии

IXA45IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 448,70
30 - 59 401,91
От 60 386,57

Нет в наличии

IXA4I1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 2499 63,66
2500 - 4999 56,76
От 5000 54,46

Нет в наличии

IXA4IF1200PZ
IXA4IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 187,92
30 - 59 168,74
От 60 161,84

Нет в наличии

IXA4IF1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 2499 79,00
2500 - 4999 70,56
От 5000 67,50

Нет в наличии

IXA55I1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 651,18
30 - 59 582,92
От 60 560,68

Нет в наличии

IXA60IF1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 350,69
10 - 19 1 209,56
От 20 1 162,77

В наличии

IXA70I1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 140,53
10 - 19 1 020,88
От 20 980,99

Нет в наличии

IXA70R1200NA
IXBA10N300HV
IXBA14N300HV
IXBA16N170AHV
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 444,86
50 - 99 398,84
От 100 382,73

Нет в наличии

IXBF10N300C
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 3 189,19
30 - 59 2 855,54
От 60 2 744,33

Нет в наличии

IXBF14N300
IXBF15N300C
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 3 865,68
30 - 59 3 461,47
От 60 3 326,48

Нет в наличии

IXBF20N360
Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Напряжение, В Рабочее напряжение, В Ток, А Падение напряжения, В Обратный диод Встроенный термодатчик (NTC) Конфигурация Дополнительно Класс переключения
Microchip Technology INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 700V, 3.5A, 3 DPAK T/R 35,92
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V Fast Trench IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 52 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 42 А. Класс ISOPLUS247™ 1200 V 52 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 192,52 TO-247AD 1200 V 20 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-220AB. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 168,74 TO-220AB 1200 V 20 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 247,74 TO-268AA 1200 V 20 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 19 А. Клас 309,87 ISOPLUS247™ 1200 V 28 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-220AB. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 180,25 TO-220AB 1200 V 38 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц TO-263ABHV 1200 V 38 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 24 А. Класс п 282,26 TO-247AD 1200 V 38 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 650 V. Технология 650V XPT™ IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 335 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 1 869,18 SOT-227B MiniBLOC 650 V 335 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 43 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 374,30 ISOPLUS247™ 1200 V 43 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 377,36 TO-247AD 1200 V 58 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 454,06 ISOPLUS247™ 1200 V 58 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 4000 V. Технология NPT IGBTs. Рабочий ток (t=25 °C): 80 А. Корпус: PLUS264. Класс переключения: A3 Class, более 5 кГц. Время переклю 4 452,44 PLUS264 4000 V 80 A3 Class, более 5 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 78 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 448,70 TO-247AD 1200 V 78 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Э 63,66 TO-252AA 1200 V 9 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-263ABHV. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс п TO-263ABHV 1200 V 9 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 187,92 TO-268AA 1200 V 9 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 79,00 TO-252AA 1200 V 9 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 84 А. Корпус: ISOPLUS247™. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГ 651,18 ISOPLUS247™ 1200 V 84 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 88 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 51 А 1 350,69 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 88 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 2 1 140,53 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 100 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 55 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 100 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 34 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 2010 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 34
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1700 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 16 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 25°C): 150 нс. Энергия выключ 444,86 TO-263ABHV 1700 V 16
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 29 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 165 нс. Энергия в 3 189,19 ISOPLUS i4-PAC 2500 V 29
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия ISOPLUS i4-PAC 2500 V 28
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 37 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 150 нс. Энергия в 3 865,68 ISOPLUS i4-PAC 2500 V 37
IXYS IGBT-транзистор, 3600 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 45 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1100 нс. Энергия ISOPLUS i4-PAC 3600 V 45
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Современные IGBT-транзисторы как правило не работают в линейном режиме, их параметры оптимизируются для работы на определенных частотах. При работе на этих частотах IGBT-транзисторы имеют минимальные потери при переключении и обеспечивают максимальный КПД переключающей схеме.

При подборе подходящих транзисторов можно воспользоваться помощью наших консультантов, оптовые покупатели получают значительные скидки.

Вопрос-ответ

Задать вопрос