задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

IGBT транзисторы

В силовой электронике широко используются IGBT-транзисторы, в русскоязычной терминологии также известные как биполярные транзисторы с изолированным затвором. Они представляют собой гибрид биполярного и полевого транзисторного устройства, включающий преимущества каждого из них. Эти транзисторы работают как мощный электрический ключ, который ставится в инверторы, импульсные источники питания и системы управления электроприводов. У нас можно купить IGBT-элементы таких производителей, как Toshiba, IXYS и Renesas Electronics. В каталоге представлено несколько сотен образцов, которые можно подбирать по конфигурации, рабочим параметрам, цене и наличию на складе.

Наименование
GN2470K4-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 999 40,78
От 1000 36,71

Нет в наличии

ITF38IF1200HJ
IXA12IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 198,44
30 - 59 177,09
От 60 170,77

Нет в наличии

IXA12IF1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 87,00

В наличии

IXA12IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 255,36
30 - 59 228,48
От 60 219,79

Нет в наличии

IXA17IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 319,40
30 - 59 286,20
От 60 275,13

Нет в наличии

IXA20I1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 185,79
50 - 99 166,03
От 100 159,70

Нет в наличии

IXA20I1200PZ
IXA20IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 290,94
30 - 59 260,11
От 60 250,62

Нет в наличии

IXA220I650NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 926,69
10 - 19 1 725,09
От 20 1 657,89

Нет в наличии

IXA27IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 385,81
30 - 59 345,49
От 60 332,05

Нет в наличии

IXA33IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 388,98
30 - 59 348,65
От 60 334,42

Нет в наличии

IXA37IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 468,04
30 - 59 419,02
От 60 402,42

Нет в наличии

IXA40I4000KN
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 4 589,43
25 - 49 4 109,54
От 50 3 949,05

В наличии

IXA45IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 462,50
30 - 59 414,27
От 60 398,46

Нет в наличии

IXA4I1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 2499 65,62
2500 - 4999 58,50
От 5000 56,13

Нет в наличии

IXA4IF1200PZ
IXA4IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 193,70
30 - 59 173,93
От 60 166,82

Нет в наличии

IXA4IF1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 2499 81,43
2500 - 4999 72,74
От 5000 69,57

Нет в наличии

IXA55I1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 671,22
30 - 59 600,86
От 60 577,93

Нет в наличии

IXA60IF1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 695,99

В наличии

IXA70I1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 175,62
10 - 19 1 052,29
От 20 1 011,18

Нет в наличии

IXA70R1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 745,61

В наличии

IXBA10N300HV
IXBA14N300HV
IXBA16N170AHV
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 458,55
50 - 99 411,11
От 100 394,51

Нет в наличии

IXBF10N300C
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 3 287,31
30 - 59 2 943,40
От 60 2 828,77

Нет в наличии

IXBF14N300
IXBF15N300C
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 29 3 984,62
30 - 59 3 567,98
От 60 3 428,83

Нет в наличии

IXBF20N360
Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Напряжение, В Рабочее напряжение, В Распродажа компонентов Ток, А Падение напряжения, В Обратный диод Встроенный термодатчик (NTC) Конфигурация Дополнительно Класс переключения
Microchip Technology INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 700V, 3.5A, 3 DPAK T/R 40,78
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V Fast Trench IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 52 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 42 А. Класс ISOPLUS247™ 1200 V 52 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 198,44 TO-247AD 1200 V 20 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-220AB. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 87,00 TO-220AB 1200 V Да 20 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 255,36 TO-268AA 1200 V 20 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 19 А. Клас 319,40 ISOPLUS247™ 1200 V 28 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-220AB. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 185,79 TO-220AB 1200 V 38 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц TO-263ABHV 1200 V 38 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 24 А. Класс п 290,94 TO-247AD 1200 V 38 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 650 V. Технология 650V XPT™ IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 335 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 1 926,69 SOT-227B MiniBLOC 650 V 335 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 43 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 385,81 ISOPLUS247™ 1200 V 43 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 388,98 TO-247AD 1200 V 58 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 468,04 ISOPLUS247™ 1200 V 58 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 4000 V. Технология NPT IGBTs. Рабочий ток (t=25 °C): 80 А. Корпус: PLUS264. Класс переключения: A3 Class, более 5 кГц. Время переклю 4 589,43 PLUS264 4000 V 80 A3 Class, более 5 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 78 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 462,50 TO-247AD 1200 V 78 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Э 65,62 TO-252AA 1200 V 9 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-263ABHV. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс п TO-263ABHV 1200 V 9 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 193,70 TO-268AA 1200 V 9 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 81,43 TO-252AA 1200 V 9 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 84 А. Корпус: ISOPLUS247™. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГ 671,22 ISOPLUS247™ 1200 V 84 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 88 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 51 А 695,99 SOT-227B MiniBLOC 1200 V Да 88 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 2 1 175,62 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 100 C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 55 745,61 SOT-227B MiniBLOC 1200 V Да 100 Встроенный диод C3 Class, 20-60 кГц
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 34 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 2010 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 34
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1700 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 16 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 25°C): 150 нс. Энергия выключ 458,55 TO-263ABHV 1700 V 16
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 29 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 165 нс. Энергия в 3 287,31 ISOPLUS i4-PAC 2500 V 29
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия ISOPLUS i4-PAC 2500 V 28
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 37 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 150 нс. Энергия в 3 984,62 ISOPLUS i4-PAC 2500 V 37
IXYS IGBT-транзистор, 3600 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 45 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1100 нс. Энергия ISOPLUS i4-PAC 3600 V 45
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Современные IGBT-транзисторы как правило не работают в линейном режиме, их параметры оптимизируются для работы на определенных частотах. При работе на этих частотах IGBT-транзисторы имеют минимальные потери при переключении и обеспечивают максимальный КПД переключающей схеме.

При подборе подходящих транзисторов можно воспользоваться помощью наших консультантов, оптовые покупатели получают значительные скидки.

Вопрос-ответ

Задать вопрос