задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

IGBT транзисторы

В силовой электронике широко используются IGBT-транзисторы, в русскоязычной терминологии также известные как биполярные транзисторы с изолированным затвором. Они представляют собой гибрид биполярного и полевого транзисторного устройства, включающий преимущества каждого из них. Эти транзисторы работают как мощный электрический ключ, который ставится в инверторы, импульсные источники питания и системы управления электроприводов. У нас можно купить IGBT-элементы таких производителей, как Toshiba, IXYS и Renesas Electronics. В каталоге представлено несколько сотен образцов, которые можно подбирать по конфигурации, рабочим параметрам, цене и наличию на складе.

Наименование
GN2470K4-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 47,77
10 - 24 47,11
От 25 46,78

Нет в наличии

IRGP50B60PDPBF
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 164,88

В наличии

ITF38IF1200HJ
IX169X12A
Количество Цена с НДС, руб.
500 - 999 1 061,48
1000 - 4999 953,62
От 5000 856,39

Нет в наличии

IXA12IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 178,96
10 - 29 172,99
От 30 183,04

Нет в наличии

IXA12IF1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 156,89
10 - 49 151,67
От 50 146,43

В наличии

IXA12IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 230,44
10 - 29 222,76
От 30 236,15

Нет в наличии

IXA17IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 288,05
10 - 29 278,44
От 30 295,81

Нет в наличии

IXA20I1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 166,70
10 - 49 161,14
От 50 155,58

Нет в наличии

IXA20I1200PZ
IXA20IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 262,30
10 - 29 253,57
От 30 268,84

Нет в наличии

IXA220I650NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 736,87
10 - 19 1 678,96
От 20 1 713,57

Нет в наличии

IXA27IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 348,11
10 - 29 336,51
От 30 357,09

Нет в наличии

IXA33IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 350,55
10 - 29 338,87
От 30 360,36

Нет в наличии

IXA37IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 421,65
10 - 29 407,60
От 30 433,10

Нет в наличии

IXA40I4000KN
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 4 743,59
25 - 49 4 247,58
От 50 4 081,70

В наличии

IXA45IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 416,75
10 - 29 402,86
От 30 428,19

Нет в наличии

IXA4I1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 58,83
10 - 49 56,88
От 50 54,91

Нет в наличии

IXA4IF1200PZ
IXA4IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 175,28
10 - 29 169,44
От 30 179,77

Нет в наличии

IXA4IF1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 73,55
10 - 49 71,10
От 50 68,64

Нет в наличии

IXA55I1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 605,52
10 - 29 585,33
От 30 621,03

Нет в наличии

IXA60IF1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 255,15
10 - 19 1 213,31
От 20 1 238,81

В наличии

IXA70I1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 059,04
10 - 19 1 023,73
От 20 1 045,14

Нет в наличии

IXA70R1200NA
IXBA10N300HV
IXBA14N300HV
IXBA16N170AHV
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 413,07
10 - 49 399,30
От 50 385,54

Нет в наличии

IXBF10N300C
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 2 962,60
10 - 24 2 863,85
От 25 2 875,72

Нет в наличии

IXBF14N300
Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Напряжение, В Рабочее напряжение, В Распродажа компонентов Ток, А Падение напряжения, В Обратный диод Конфигурация
Microchip Technology INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 700V, 3.5A, 3 DPAK T/R 47,77
Infineon IGBT DISCRETES 164,88
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V Fast Trench IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 52 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 42 А. Класс ISOPLUS247™ 1200 V 52
IXYS кристалл IGBT 1 061,48
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 178,96 TO-247AD 1200 V 20
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-220AB. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 156,89 TO-220AB 1200 V 20
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 230,44 TO-268AA 1200 V 20
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 19 А. Клас 288,05 ISOPLUS247™ 1200 V 28
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-220AB. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 166,70 TO-220AB 1200 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц TO-263ABHV 1200 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 24 А. Класс п 262,30 TO-247AD 1200 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 650 V. Технология 650V XPT™ IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 335 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 1 736,87 SOT-227B MiniBLOC 650 V 335
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 43 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 348,11 ISOPLUS247™ 1200 V 43
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 350,55
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 421,65 ISOPLUS247™ 1200 V 58
IXYS IGBT-транзистор, 4000 V. Технология NPT IGBTs. Рабочий ток (t=25 °C): 80 А. Корпус: PLUS264. Класс переключения: A3 Class, более 5 кГц. Время переклю 4 743,59 PLUS264 4000 80 2.7 Нет Single
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 78 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 416,75 TO-247AD 1200 V 78
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Э 58,83 TO-252AA 1200 V 9
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-263ABHV. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс п TO-263ABHV 1200 V 9
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 175,28 TO-268AA 1200 V 9
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 73,55 TO-252AA 1200 V 9
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 84 А. Корпус: ISOPLUS247™. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГ 605,52 ISOPLUS247™ 1200 V 84
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 88 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 51 А 1 255,15 SOT-227B MiniBLOC 1200 88 1.8 Да Copack(Sonic-FRD)
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 2 1 059,04 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 100
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 55 SOT-227B MiniBLOC 1200 100 1.8 Да Boost
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 34 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 2010 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 34
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1700 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 16 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 25°C): 150 нс. Энергия выключ 413,07 TO-263ABHV 1700 V 16
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 29 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 165 нс. Энергия в 2 962,60 ISOPLUS i4-PAC 2500 V 29
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия ISOPLUS i4-PAC 2500 V 28
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Современные IGBT-транзисторы как правило не работают в линейном режиме, их параметры оптимизируются для работы на определенных частотах. При работе на этих частотах IGBT-транзисторы имеют минимальные потери при переключении и обеспечивают максимальный КПД переключающей схеме.

При подборе подходящих транзисторов можно воспользоваться помощью наших консультантов, оптовые покупатели получают значительные скидки.

Вопрос-ответ

Задать вопрос