задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

Малосигнальные MOSFET транзисторы

Наименование
2N7000
Количество Цена с НДС, руб.
100 - 999 2,11
1000 - 3999 2,04
От 4000 1,89

Нет в наличии

2SJ168(TE85L,F)
2SK1062(TE85L,F)
2SK1828(TE85L,F)
2SK1829(TE85L,F)
2SK1830(TE85L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 4,39
10 - 24 4,39
От 25 4,21

Нет в наличии

2SK2009(TE85L,F)
2SK2035(T5L,F,T)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 5,46
10 - 24 5,31
От 25 5,16

Нет в наличии

2SK2035,LF(T
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 4,27
10 - 24 4,27
От 25 4,09

Нет в наличии

2SK208-GR(TE85L,F)
2SK208-O(TE85L,F)
2SK208-R(TE85L,F)
2SK208-Y(TE85R,F)
2SK209-BL(TE85L,F)
2SK209-GR(TE85L,F)
2SK209-Y(TE85L,F)
2SK880-GR(TE85L,F)
BSS84PL6327
HN1K02FU(T5L,F,T)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 15,03
10 - 24 14,61
От 25 14,20

Нет в наличии

HN1K02FU(TE85L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 15,03
10 - 24 14,61
От 25 14,20

Нет в наличии

MMBT7002K
Количество Цена с НДС, руб.
100 - 999 1,48
1000 - 2999 1,43
От 3000 1,32

В наличии

MMFTN123
Количество Цена с НДС, руб.
100 - 999 1,98
1000 - 2999 1,91
От 3000 1,78

Нет в наличии

MMFTN138
Количество Цена с НДС, руб.
100 - 999 1,98
1000 - 2999 1,91
От 3000 1,78

Нет в наличии

MMFTN170
Количество Цена с НДС, руб.
100 - 999 1,98
1000 - 2999 1,91
От 3000 1,78

Нет в наличии

MMFTN20
Количество Цена с НДС, руб.
100 - 999 1,98
1000 - 2999 1,91
От 3000 1,78

Нет в наличии

MMFTN290E
Количество Цена с НДС, руб.
100 - 999 1,84
1000 - 2999 1,77
От 3000 1,64

Нет в наличии

MMFTN3018W
Количество Цена с НДС, руб.
100 - 999 1,98
1000 - 2999 1,91
От 3000 1,78

Нет в наличии

SSM3J112TU(TE85L)
SSM3J120TU(TE85L)
SSM3J15FV(TPL3,Z)
Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Полярность VDSS, В VGSS, В ID, А Vth(макс), В RDS(ON)(Макс)@VGS=1,8В, Ом
Diotec N-канальный FET транзистор, TO-92, 0.35 Вт, 60 В, 200 мА, Rds <56 Ом, -55…+150°С 2,11
Toshiba MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-0.2 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 3pin-S-Mini монтаж 3pin-S-Mini P-канальный -60 -0.2
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=60 В, ID=0.2 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 3pin-S-Mini монтаж 3pin-S-Mini N-канальный 60 0.2
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=20 В, ID=0.05 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 3pin-S-Mini монтаж 3pin-S-Mini N-канальный 20 0.05
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=20 В, ID=0.05 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 3pin--USM монтаж 3pin--USM N-канальный 20 0.05
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=20 В, ID=0.05 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 3pin-SSM монтаж 4,39 3pin-SSM N-канальный 20 0.05
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=30 В, ID=0.2 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 3pin-S-Mini монтаж 3pin-S-Mini N-канальный 30 0.2
Toshiba N-CHANNEL SMOS 5,46
Toshiba 4,27
Toshiba N-CHANNEL JFET
Toshiba N-CHANNEL JFET
Toshiba N-CHANNEL JFET
Toshiba N-CHANNEL JFET
Toshiba N-CHANNEL JFET
Toshiba N-CHANNEL JFET
Toshiba N-CHANNEL JFET
Toshiba N-CHANNEL JFET
Infineon
Toshiba MOSFET транзистор, Nx2-канальный, VDSS=20 В, ID=0.05 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 6pin-US6 монтаж 15,03 6pin-US6 Nx2-канальный 20 0.05
Toshiba MOSFET транзистор, Nx2-канальный, VDSS=20 В, ID=0.05 А, Qg= нКл, PD= Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом = , 6pin-US7 монтаж 15,03 6pin-US7 Nx2-канальный 20 0.05
Diotec N-канальный FET транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.35 Вт, 60 В, 115 мА, Rds < 4 Ом, -55…+150°С (аналог 2N7002K) 1,48
Diotec N-канальный FET транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.36 Вт, 100 В, 170 мА, Rds < 6 Ом, -55…+150°С (аналог BSS123) 1,98
Diotec N-канальный FET транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.36 Вт, 50 В, 880 мА, Rds <3.5 Ом, -55…+150°С 1,98
Diotec N-канальный FET транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.3 Вт, 60 В, 800 мА, Rds <5 Ом, -55…+150°С 1,98
Diotec N-канальный D-MOS транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.3 Вт, 50 В, 300 мА, Rds <30 Ом, -55…+150°С (аналог BSS123) 1,98
Diotec N-канальный FET транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.3 Вт, 20 В, 700 мА, -55…+150°С 1,84
Diotec N-канальный MOS FET транзистор, SOT-23 (TO-236), 0.2 Вт, 60 В, 400 мА, Rds <130 Ом, -55…+150°С0 1,98
Toshiba MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-30 В, VGSS=+/-20 В, ID=-1,1 A, Vth(max)=-1,8 В, RDSON= см. даташит @1,8 В, 3pin-UFM 3pin-UFM P-канальный -30 0 -1.1 -1.8
Toshiba MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-20 В, VGSS=+/-8 В, ID=-4 A, Vth(max)=-1 В, RDSON=0,078@1,8 В, 3pin-UFM 3pin-UFM P-канальный -20 0 -4 -1 0.078
Toshiba MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-30 В, VGSS=+/-20 В, ID=-0,1 A, Vth(max)=-1,7 В, RDSON= см. даташит @1,8 В, 3pin-VESM 3pin-VESM P-канальный -30 0 -0.1 -1.7
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Вопрос-ответ

Задать вопрос