задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

MOSFET-транзисторы IXYS

Наименование
CPC5602C
CPC5602CTR
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 999 24,07
1000 - 1999 21,95
От 2000 21,24

В наличии

IXFA102N15T
IXFA10N80P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 133,61
50 - 99 119,38
От 100 114,64

Нет в наличии

IXFA110N15T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 195,28
50 - 99 174,72
От 100 167,61

Нет в наличии

IXFA130N10T
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 107,06
10 - 24 103,97
От 25 101,67

Нет в наличии

IXFA130N10T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 159,70
50 - 99 143,10
От 100 137,56

Нет в наличии

IXFA14N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 125,71
50 - 99 112,27
От 100 107,52

Нет в наличии

IXFA16N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 157,33
50 - 99 140,73
От 100 135,19

Нет в наличии

IXFA16N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 256,95
50 - 99 230,06
От 100 220,58

Нет в наличии

IXFA180N10T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 212,67
50 - 99 190,53
От 100 183,42

Нет в наличии

IXFA18N60X
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 300,43
50 - 99 268,80
От 100 258,53

В наличии

IXFA20N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 141,52
50 - 99 127,29
От 100 121,75

Нет в наличии

IXFA22N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 179,47
50 - 99 161,28
От 100 154,96

Нет в наличии

IXFA22N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 167,61
50 - 99 150,21
От 100 144,68

Нет в наличии

IXFA230N075T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 212,67
50 - 99 190,53
От 100 183,42

Нет в наличии

IXFA24N60X
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 203,18
50 - 99 181,84
От 100 174,72

Нет в наличии

IXFA26N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 210,30
50 - 99 188,16
От 100 181,05

Нет в наличии

IXFA34N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 229,27
50 - 99 205,56
От 100 197,65

Нет в наличии

IXFA36N30P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 153,38
50 - 99 137,56
От 100 132,03

Нет в наличии

IXFA4N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 120,96
50 - 99 108,31
От 100 104,36

Нет в наличии

IXFA5N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 165,24
50 - 99 147,84
От 100 142,31

Нет в наличии

IXFA6N120P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 334,42
50 - 99 299,64
От 100 287,78

Нет в наличии

IXFA76N15T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 174,72
50 - 99 156,54
От 100 150,21

Нет в наличии

IXFA7N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 204,77
50 - 99 183,42
От 100 176,30

Нет в наличии

IXFA7N80P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 111,47
50 - 99 99,62
От 100 95,66

В наличии

IXFB100N50Q3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 836,56
25 - 49 1 644,45
От 50 1 580,41

Нет в наличии

IXFB110N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 978,76
25 - 49 876,78
От 50 842,78

Нет в наличии

IXFB120N50P2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 118,70
25 - 49 1 001,69
От 50 962,16

Нет в наличии

IXFB132N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 978,76
25 - 49 876,78
От 50 842,78

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Технология Тип проводимости Напряжение исток-сток, В Ток стока, А
IXYS N Channel Depletion Mode FET
IXYS N Channel Depletion Mode FET, T/R 24,07
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Trench HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 150V. Ток с TO-263AB Trench HiPerFETs n-канальный 150 102
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 800V. Ток с 133,61 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 800 10
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 110А. Сопротивление кан 195,28 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 150 110
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Trench HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 100V. Ток с 107,06 TO-263AB Trench HiPerFETs n-канальный 100 130
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 130А. Сопротивление кан 159,70 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 100 130
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 14А. Сопротивл 125,71 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 14
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 16А. Сопротивл 157,33 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 16
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 16А. Сопротивл 256,95 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 16
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 180А. Сопротивление кан 212,67 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 100 180
IXYS MOSFET-транзистор c быстрым встроенным диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология X-Class. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C 300,43 TO-263AB X-Class n-канальный 600 18
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 20А. Сопротивл 141,52 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 20
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 22А. Сопротивл 179,47 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 22
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AA. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 22А. Со 167,61 TO-263AA X2-Class (ultra junction) n-канальный 650 22
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 75V. Ток стока (при t=25°C): 230А. Сопротивление кана 212,67 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 75 230
IXYS MOSFET-транзистор c быстрым встроенным диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология X-Class. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C 203,18 TO-263AB X-Class n-канальный 600 24
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 26А. Сопротивл 210,30 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 26
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 34А. Сопр 229,27 TO-263 X2-Class (ultra junction) n-канальный 650 34
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 300V. Ток стока (при t=25°C): 36А. Сопротивл 153,38 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 300 36
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 120,96 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1000 4
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 165,24 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1000 5
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1200V. Ток 334,42 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1200 6
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 76А. Сопротивление кана 174,72 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 150 76
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 204,77 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1000 7
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 800V. Ток с 111,47 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 800 7
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология Q3-Class. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 100А. Сопротивление канал 1 836,56 PLUS264 Q3-Class n-канальный 500 100
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 110А. Сопротивл 978,76 PLUS264 PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 110
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP2™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток 1 118,70 PLUS264 PolarP2™ HiPerFETs n-канальный 500 120
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 132А. Сопротивл 978,76 PLUS264 PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 132
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Вопрос-ответ

Задать вопрос