задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

MOSFET-транзисторы IXYS

Наименование
CPC3980ZTR
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 12,60

В наличии

CPC5602C
CPC5602CTR
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 999 24,47
1000 - 1999 22,31
От 2000 21,59

Нет в наличии

IXFA102N15T
IXFA10N80P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 139,59
50 - 99 124,73
От 100 119,77

Нет в наличии

IXFA110N15T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 204,02
50 - 99 182,55
От 100 175,11

Нет в наличии

IXFA130N10T
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 107,06
10 - 24 103,97
От 25 101,67

Нет в наличии

IXFA130N10T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 166,85
50 - 99 149,51
От 100 143,72

Нет в наличии

IXFA14N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 131,33
50 - 99 117,29
От 100 112,34

Нет в наличии

IXFA16N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 164,37
50 - 99 147,03
От 100 141,25

Нет в наличии

IXFA16N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 268,45
50 - 99 240,37
От 100 230,45

Нет в наличии

IXFA180N10T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 222,19
50 - 99 199,07
От 100 191,63

Нет в наличии

IXFA18N60X
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 313,88
50 - 99 280,84
От 100 270,10

В наличии

IXFA20N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 147,85
50 - 99 132,99
От 100 127,20

Нет в наличии

IXFA22N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 187,50
50 - 99 168,50
От 100 161,90

Нет в наличии

IXFA22N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 175,11
50 - 99 156,94
От 100 151,16

Нет в наличии

IXFA230N075T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 222,19
50 - 99 199,07
От 100 191,63

Нет в наличии

IXFA24N60X
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 212,28
50 - 99 189,98
От 100 182,55

Нет в наличии

IXFA26N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 219,72
50 - 99 196,59
От 100 189,15

Нет в наличии

IXFA34N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 239,54
50 - 99 214,76
От 100 206,50

Нет в наличии

IXFA36N30P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 160,24
50 - 99 143,72
От 100 137,94

Нет в наличии

IXFA4N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 126,38
50 - 99 113,16
От 100 109,03

Нет в наличии

IXFA5N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 172,63
50 - 99 154,46
От 100 148,68

Нет в наличии

IXFA6N120P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 349,40
50 - 99 313,05
От 100 300,66

Нет в наличии

IXFA76N15T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 182,55
50 - 99 163,55
От 100 156,94

Нет в наличии

IXFA7N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 213,93
50 - 99 191,63
От 100 184,20

Нет в наличии

IXFA7N80P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 116,47
50 - 99 104,08
От 100 99,95

В наличии

IXFB100N50Q3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 918,80
25 - 49 1 718,08
От 50 1 651,17

Нет в наличии

IXFB110N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 022,59
25 - 49 916,03
От 50 880,52

Нет в наличии

IXFB120N50P2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 168,79
25 - 49 1 046,54
От 50 1 005,24

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Распродажа компонентов Технология RDS(ON)(Макс)@VGS=10В, Ом Тип проводимости Напряжение исток-сток, В Ток стока, А
IXYS N Channel Depletion Mode FET, T/R, 800V SOT-223, 45 Ohm, 100mA 12,60 Да
IXYS N Channel Depletion Mode FET SOT-223 Нормально открытый 14 n-канальный 350 0.13
IXYS N Channel Depletion Mode FET, T/R 24,47 SOT-223 Нормально открытый 14 n-канальный 350 0.13
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Trench HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 150V. Ток с TO-263AB Trench HiPerFETs 0.018 n-канальный 150 102
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 800V. Ток с 139,59 TO-263AB Polar™ HIPerFETs 1.1 n-канальный 800 10
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 110А. Сопротивление кан 204,02 TO-263AB TrenchT2™ 0.013 n-канальный 150 110
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Trench HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 100V. Ток с 107,06 TO-263AB Trench HiPerFETs 0.0091 n-канальный 100 130
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 130А. Сопротивление кан 166,85 TO-263AB TrenchT2™ 0.0091 n-канальный 100 130
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 14А. Сопротивл 131,33 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.54 n-канальный 600 14
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 16А. Сопротивл 164,37 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.36 n-канальный 500 16
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 16А. Сопротивл 268,45 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.47 n-канальный 600 16
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 180А. Сопротивление кан 222,19 TO-263AB TrenchT2™ 0.006 n-канальный 100 180
IXYS MOSFET-транзистор c быстрым встроенным диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология X-Class. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C 313,88 TO-263AB X-Class 0.23 n-канальный 600 18
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 20А. Сопротивл 147,85 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.3 n-канальный 500 20
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 22А. Сопротивл 187,50 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.39 n-канальный 600 22
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AA. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 22А. Со 175,11 TO-263AA X2-Class 0.145 n-канальный 650 22
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 75V. Ток стока (при t=25°C): 230А. Сопротивление кана 222,19 TO-263AB TrenchT2™ 0.0042 n-канальный 75 230
IXYS MOSFET-транзистор c быстрым встроенным диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология X-Class. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C 212,28 TO-263AB X-Class 0.175 n-канальный 600 24
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 26А. Сопротивл 219,72 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.25 n-канальный 500 26
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 34А. Сопр 239,54 TO-263 X2-Class 0.1 n-канальный 650 34
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 300V. Ток стока (при t=25°C): 36А. Сопротивл 160,24 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.11 n-канальный 300 36
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 126,38 TO-263AB Polar™ HIPerFETs 3.3 n-канальный 1000 4
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 172,63 TO-263AB Polar™ HIPerFETs 2.8 n-канальный 1000 5
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1200V. Ток 349,40 TO-263AB Polar™ HIPerFETs 2.75 n-канальный 1200 6
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 76А. Сопротивление кана 182,55 TO-263AB TrenchT2™ 0.022 n-канальный 150 76
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 213,93 TO-263AB Polar™ HIPerFETs 1.9 n-канальный 1000 7
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 800V. Ток с 116,47
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология Q3-Class. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 100А. Сопротивление канал 1 918,80 PLUS264 Q3-Class 0.049 n-канальный 500 100
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 110А. Сопротивл 1 022,59 PLUS264 PolarP3™ HiPerFETs 0.056 n-канальный 600 110
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP2™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток 1 168,79 PLUS264 PolarP2™ HiPerFETs 0.043 n-канальный 500 120
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Вопрос-ответ

Задать вопрос