задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

MOSFET-транзисторы IXYS

Наименование
IXFA102N15T
IXFA10N80P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 123,64
50 - 99 110,47
От 100 106,08

Нет в наличии

IXFA110N15T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 180,71
50 - 99 161,68
От 100 155,10

Нет в наличии

IXFA130N10T
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 107,06
10 - 24 103,97
От 25 101,67

Нет в наличии

IXFA130N10T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 147,78
50 - 99 132,42
От 100 127,30

Нет в наличии

IXFA14N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 116,32
50 - 99 103,89
От 100 99,50

Нет в наличии

IXFA16N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 145,59
50 - 99 130,22
От 100 125,10

Нет в наличии

IXFA16N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 237,77
50 - 99 212,90
От 100 204,12

Нет в наличии

IXFA180N10T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 196,80
50 - 99 176,32
От 100 169,73

Нет в наличии

IXFA18N60X
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 278,01
50 - 99 248,74
От 100 239,23

Нет в наличии

IXFA20N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 130,96
50 - 99 117,79
От 100 112,67

Нет в наличии

IXFA22N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 166,07
50 - 99 149,25
От 100 143,39

Нет в наличии

IXFA22N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 155,10
50 - 99 139,00
От 100 133,88

Нет в наличии

IXFA230N075T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 196,80
50 - 99 176,32
От 100 169,73

Нет в наличии

IXFA24N60X
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 188,02
50 - 99 168,27
От 100 161,68

Нет в наличии

IXFA26N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 194,61
50 - 99 174,12
От 100 167,54

Нет в наличии

IXFA34N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 212,16
50 - 99 190,22
От 100 182,90

Нет в наличии

IXFA36N30P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 141,93
50 - 99 127,30
От 100 122,18

Нет в наличии

IXFA4N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 111,93
50 - 99 100,23
От 100 96,57

Нет в наличии

IXFA5N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 152,90
50 - 99 136,81
От 100 131,69

Нет в наличии

IXFA6N120P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 309,47
50 - 99 277,28
От 100 266,30

Нет в наличии

IXFA76N15T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 161,68
50 - 99 144,86
От 100 139,00

Нет в наличии

IXFA7N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 189,48
50 - 99 169,73
От 100 163,15

Нет в наличии

IXFA7N80P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 103,16
50 - 99 92,18
От 100 88,52

В наличии

IXFB100N50Q3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 699,51
25 - 49 1 521,73
От 50 1 462,47

Нет в наличии

IXFB110N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 905,72
25 - 49 811,34
От 50 779,89

Нет в наличии

IXFB120N50P2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 035,21
25 - 49 926,94
От 50 890,36

Нет в наличии

IXFB132N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 905,72
25 - 49 811,34
От 50 779,89

Нет в наличии

IXFB150N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 1 291,27
50 - 99 1 155,93
От 100 1 111,30

Нет в наличии

IXFB170N30P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 294,20
25 - 49 1 158,85
От 50 1 113,50

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Технология Тип проводимости Напряжение исток-сток, В Ток стока, А
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Trench HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 150V. Ток с TO-263AB Trench HiPerFETs n-канальный 150 102
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 800V. Ток с 123,64 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 800 10
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 110А. Сопротивление кан 180,71 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 150 110
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Trench HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 100V. Ток с 107,06 TO-263AB Trench HiPerFETs n-канальный 100 130
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 130А. Сопротивление кан 147,78 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 100 130
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 14А. Сопротивл 116,32 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 14
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 16А. Сопротивл 145,59 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 16
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 16А. Сопротивл 237,77 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 16
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 180А. Сопротивление кан 196,80 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 100 180
IXYS MOSFET-транзистор c быстрым встроенным диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология X-Class. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C 278,01 TO-263AB X-Class n-канальный 600 18
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 20А. Сопротивл 130,96 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 20
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 22А. Сопротивл 166,07 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 22
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AA. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 22А. Со 155,10 TO-263AA X2-Class (ultra junction) n-канальный 650 22
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 75V. Ток стока (при t=25°C): 230А. Сопротивление кана 196,80 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 75 230
IXYS MOSFET-транзистор c быстрым встроенным диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология X-Class. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C 188,02 TO-263AB X-Class n-канальный 600 24
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 26А. Сопротивл 194,61 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 26
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 34А. Сопр 212,16 TO-263 X2-Class (ultra junction) n-канальный 650 34
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 300V. Ток стока (при t=25°C): 36А. Сопротивл 141,93 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 300 36
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 111,93 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1000 4
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 152,90 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1000 5
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1200V. Ток 309,47 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1200 6
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 76А. Сопротивление кана 161,68 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 150 76
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 189,48 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1000 7
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 800V. Ток с 103,16 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 800 7
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология Q3-Class. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 100А. Сопротивление канал 1 699,51 PLUS264 Q3-Class n-канальный 500 100
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 110А. Сопротивл 905,72 PLUS264 PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 110
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP2™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток 1 035,21 PLUS264 PolarP2™ HiPerFETs n-канальный 500 120
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 132А. Сопротивл 905,72 PLUS264 PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 132
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 150А. Со 1 291,27 PLUS264 X2-Class (ultra junction) n-канальный 650 150
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 300V. Ток ст 1 294,20 PLUS264 Polar™ HIPerFETs n-канальный 300 170
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Вопрос-ответ

Задать вопрос