задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

MOSFET-транзисторы IXYS

Наименование
CPC3980ZTR
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 12,60

В наличии

CPC5602C
CPC5602CTR
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 21,09
10 - 49 20,40
От 50 19,72

Нет в наличии

IXFA102N15T
IXFA10N80P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 119,18
10 - 49 115,20
От 50 111,23

Нет в наличии

IXFA110N15T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 173,90
10 - 49 168,10
От 50 162,30

Нет в наличии

IXFA130N10T
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 107,06
10 - 24 103,97
От 25 101,67

Нет в наличии

IXFA130N10T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 142,28
10 - 49 137,54
От 50 132,80

Нет в наличии

IXFA14N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 111,88
10 - 49 108,15
От 50 104,42

Нет в наличии

IXFA16N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 141,07
10 - 49 136,36
От 50 131,66

Нет в наличии

IXFA16N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 229,84
10 - 49 222,17
От 50 214,51

Нет в наличии

IXFA180N10T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 190,92
10 - 49 184,55
От 50 178,20

Нет в наличии

IXFA18N60X
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 268,76
10 - 49 259,80
От 50 250,83

Нет в наличии

IXFA20N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 126,47
10 - 49 122,26
От 50 118,04

Нет в наличии

IXFA22N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 160,53
10 - 49 155,17
От 50 149,82

Нет в наличии

IXFA22N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 149,58
10 - 49 144,60
От 50 139,61

Нет в наличии

IXFA230N075T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 190,92
10 - 49 184,55
От 50 178,20

Нет в наличии

IXFA24N60X
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 182,42
10 - 49 176,33
От 50 170,25

Нет в наличии

IXFA26N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 188,49
10 - 49 182,22
От 50 175,93

Нет в наличии

IXFA34N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 205,52
10 - 49 198,66
От 50 191,81

Нет в наличии

IXFA36N30P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 137,41
10 - 49 132,83
От 50 128,25

Нет в наличии

IXFA4N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 108,23
10 - 49 104,62
От 50 101,01

Нет в наличии

IXFA5N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 148,36
10 - 49 143,42
От 50 138,47

Нет в наличии

IXFA6N120P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 299,15
10 - 49 289,18
От 50 279,21

Нет в наличии

IXFA76N15T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 156,87
10 - 49 151,64
От 50 146,41

Нет в наличии

IXFA7N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 182,42
10 - 49 176,33
От 50 170,25

Нет в наличии

IXFA7N80P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 99,72
10 - 49 96,39
От 50 93,08

В наличии

IXFB100N50Q3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 642,91
10 - 24 1 588,15
От 25 1 686,29

Нет в наличии

IXFB110N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 875,57
10 - 24 846,39
От 25 899,09

Нет в наличии

IXFB120N50P2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 000,83
10 - 24 967,47
От 25 1 027,18

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Распродажа компонентов Технология RDS(ON)(Макс)@VGS=10В, Ом Тип проводимости Напряжение исток-сток, В Ток стока, А
IXYS N Channel Depletion Mode FET, T/R, 800V SOT-223, 45 Ohm, 100mA 12,60 Да
IXYS N Channel Depletion Mode FET SOT-223 Нормально открытый 14 n-канальный 350 0.13
IXYS N Channel Depletion Mode FET, T/R 21,09 SOT-223 Нормально открытый 14 n-канальный 350 0.13
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Trench HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 150V. Ток с TO-263AB Trench HiPerFETs 0.018 n-канальный 150 102
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 800V. Ток с 119,18 TO-263AB Polar™ HIPerFETs 1.1 n-канальный 800 10
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 110А. Сопротивление кан 173,90 TO-263AB TrenchT2™ 0.013 n-канальный 150 110
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Trench HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 100V. Ток с 107,06 TO-263AB Trench HiPerFETs 0.0091 n-канальный 100 130
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 130А. Сопротивление кан 142,28 TO-263AB TrenchT2™ 0.0091 n-канальный 100 130
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 14А. Сопротивл 111,88 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.54 n-канальный 600 14
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 16А. Сопротивл 141,07 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.36 n-канальный 500 16
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 16А. Сопротивл 229,84 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.47 n-канальный 600 16
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 180А. Сопротивление кан 190,92 TO-263AB TrenchT2™ 0.006 n-канальный 100 180
IXYS MOSFET-транзистор c быстрым встроенным диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология X-Class. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C 268,76 TO-263AB X-Class 0.23 n-канальный 600 18
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 20А. Сопротивл 126,47 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.3 n-канальный 500 20
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 22А. Сопротивл 160,53 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.39 n-канальный 600 22
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AA. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 22А. Со 149,58 TO-263AA X2-Class 0.145 n-канальный 650 22
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 75V. Ток стока (при t=25°C): 230А. Сопротивление кана 190,92 TO-263AB TrenchT2™ 0.0042 n-канальный 75 230
IXYS MOSFET-транзистор c быстрым встроенным диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология X-Class. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C 182,42 TO-263AB X-Class 0.175 n-канальный 600 24
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 26А. Сопротивл 188,49 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.25 n-канальный 500 26
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 34А. Сопр 205,52 TO-263 X2-Class 0.1 n-канальный 650 34
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 300V. Ток стока (при t=25°C): 36А. Сопротивл 137,41 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs 0.11 n-канальный 300 36
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 108,23 TO-263AB Polar™ HIPerFETs 3.3 n-канальный 1000 4
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 148,36 TO-263AB Polar™ HIPerFETs 2.8 n-канальный 1000 5
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1200V. Ток 299,15 TO-263AB Polar™ HIPerFETs 2.75 n-канальный 1200 6
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 76А. Сопротивление кана 156,87 TO-263AB TrenchT2™ 0.022 n-канальный 150 76
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 182,42 TO-263AB Polar™ HIPerFETs 1.9 n-канальный 1000 7
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 800V. Ток с 99,72
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология Q3-Class. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 100А. Сопротивление канал 1 642,91 PLUS264 Q3-Class 0.049 n-канальный 500 100
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 110А. Сопротивл 875,57 PLUS264 PolarP3™ HiPerFETs 0.056 n-канальный 600 110
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP2™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток 1 000,83 PLUS264 PolarP2™ HiPerFETs 0.043 n-канальный 500 120
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Вопрос-ответ

Задать вопрос