задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

MOSFET-транзисторы IXYS

Наименование
IXFA102N15T
IXFA10N80P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 141,59
50 - 99 126,51
От 100 121,48

Нет в наличии

IXFA110N15T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 206,94
50 - 99 185,15
От 100 177,61

Нет в наличии

IXFA130N10T
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 107,06
10 - 24 103,97
От 25 101,67

Нет в наличии

IXFA130N10T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 169,24
50 - 99 151,64
От 100 145,78

Нет в наличии

IXFA14N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 133,21
50 - 99 118,97
От 100 113,94

Нет в наличии

IXFA16N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 166,72
50 - 99 149,13
От 100 143,26

Нет в наличии

IXFA16N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 272,29
50 - 99 243,80
От 100 233,75

Нет в наличии

IXFA180N10T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 225,37
50 - 99 201,91
От 100 194,37

Нет в наличии

IXFA18N60X
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 318,36
50 - 99 284,85
От 100 273,96

Нет в наличии

IXFA20N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 149,97
50 - 99 134,89
От 100 129,02

Нет в наличии

IXFA22N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 190,18
50 - 99 170,91
От 100 164,21

Нет в наличии

IXFA22N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 177,61
50 - 99 159,18
От 100 153,32

Нет в наличии

IXFA230N075T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 225,37
50 - 99 201,91
От 100 194,37

Нет в наличии

IXFA24N60X
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 215,31
50 - 99 192,69
От 100 185,15

Нет в наличии

IXFA26N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 222,85
50 - 99 199,40
От 100 191,86

Нет в наличии

IXFA34N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 242,96
50 - 99 217,83
От 100 209,45

Нет в наличии

IXFA36N30P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 162,53
50 - 99 145,78
От 100 139,91

Нет в наличии

IXFA4N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 128,18
50 - 99 114,78
От 100 110,59

Нет в наличии

IXFA5N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 175,10
50 - 99 156,67
От 100 150,80

Нет в наличии

IXFA6N120P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 354,39
50 - 99 317,53
От 100 304,96

Нет в наличии

IXFA76N15T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 185,15
50 - 99 165,88
От 100 159,18

Нет в наличии

IXFA7N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 216,99
50 - 99 194,37
От 100 186,83

Нет в наличии

IXFA7N80P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 118,13
50 - 99 105,56
От 100 101,37

В наличии

IXFB100N50Q3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 946,21
25 - 49 1 742,62
От 50 1 674,76

Нет в наличии

IXFB110N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 037,20
25 - 49 929,12
От 50 893,09

Нет в наличии

IXFB120N50P2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 185,49
25 - 49 1 061,49
От 50 1 019,60

Нет в наличии

IXFB132N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 037,20
25 - 49 929,12
От 50 893,09

Нет в наличии

IXFB150N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 1 478,72
50 - 99 1 323,72
От 100 1 272,62

Нет в наличии

IXFB170N30P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 482,07
25 - 49 1 327,08
От 50 1 275,13

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Технология Тип проводимости Напряжение исток-сток, В Ток стока, А
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Trench HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 150V. Ток с TO-263AB Trench HiPerFETs n-канальный 150 102
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 800V. Ток с 141,59 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 800 10
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 110А. Сопротивление кан 206,94 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 150 110
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Trench HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 100V. Ток с 107,06 TO-263AB Trench HiPerFETs n-канальный 100 130
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 130А. Сопротивление кан 169,24 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 100 130
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 14А. Сопротивл 133,21 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 14
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 16А. Сопротивл 166,72 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 16
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 16А. Сопротивл 272,29 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 16
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 180А. Сопротивление кан 225,37 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 100 180
IXYS MOSFET-транзистор c быстрым встроенным диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология X-Class. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C 318,36 TO-263AB X-Class n-канальный 600 18
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 20А. Сопротивл 149,97 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 20
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 22А. Сопротивл 190,18 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 22
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AA. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 22А. Со 177,61 TO-263AA X2-Class (ultra junction) n-канальный 650 22
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 75V. Ток стока (при t=25°C): 230А. Сопротивление кана 225,37 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 75 230
IXYS MOSFET-транзистор c быстрым встроенным диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология X-Class. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C 215,31 TO-263AB X-Class n-канальный 600 24
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 26А. Сопротивл 222,85 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 26
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 34А. Сопр 242,96 TO-263 X2-Class (ultra junction) n-канальный 650 34
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 300V. Ток стока (при t=25°C): 36А. Сопротивл 162,53 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 300 36
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 128,18 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1000 4
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 175,10 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1000 5
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1200V. Ток 354,39 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1200 6
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 76А. Сопротивление кана 185,15 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 150 76
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 216,99 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1000 7
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 800V. Ток с 118,13 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 800 7
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология Q3-Class. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 100А. Сопротивление канал 1 946,21 PLUS264 Q3-Class n-канальный 500 100
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 110А. Сопротивл 1 037,20 PLUS264 PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 110
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP2™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток 1 185,49 PLUS264 PolarP2™ HiPerFETs n-канальный 500 120
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 132А. Сопротивл 1 037,20 PLUS264 PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 132
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 150А. Со 1 478,72 PLUS264 X2-Class (ultra junction) n-канальный 650 150
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 300V. Ток ст 1 482,07 PLUS264 Polar™ HIPerFETs n-канальный 300 170
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Вопрос-ответ

Задать вопрос