задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

MOSFET-транзисторы IXYS

Наименование
IXFA102N15T
IXFA10N80P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 122,65
50 - 99 109,59
От 100 105,23

Нет в наличии

IXFA110N15T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 179,25
50 - 99 160,39
От 100 153,85

Нет в наличии

IXFA130N10T
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 107,06
10 - 24 103,97
От 25 101,67

Нет в наличии

IXFA130N10T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 146,59
50 - 99 131,36
От 100 126,27

Нет в наличии

IXFA14N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 115,39
50 - 99 103,05
От 100 98,70

Нет в наличии

IXFA16N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 144,42
50 - 99 129,17
От 100 124,10

Нет в наличии

IXFA16N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 235,86
50 - 99 211,18
От 100 202,48

Нет в наличии

IXFA180N10T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 195,22
50 - 99 174,90
От 100 168,36

Нет в наличии

IXFA18N60X
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 275,77
50 - 99 246,74
От 100 237,31

В наличии

IXFA20N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 129,91
50 - 99 116,84
От 100 111,76

Нет в наличии

IXFA22N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 164,74
50 - 99 148,04
От 100 142,24

Нет в наличии

IXFA22N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 153,85
50 - 99 137,88
От 100 132,81

Нет в наличии

IXFA230N075T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 195,22
50 - 99 174,90
От 100 168,36

Нет в наличии

IXFA24N60X
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 186,51
50 - 99 166,91
От 100 160,39

Нет в наличии

IXFA26N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 193,04
50 - 99 172,72
От 100 166,19

Нет в наличии

IXFA34N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 210,45
50 - 99 188,68
От 100 181,43

Нет в наличии

IXFA36N30P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 140,79
50 - 99 126,27
От 100 121,20

Нет в наличии

IXFA4N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 111,04
50 - 99 99,43
От 100 95,79

Нет в наличии

IXFA5N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 151,68
50 - 99 135,71
От 100 130,63

Нет в наличии

IXFA6N120P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 306,98
50 - 99 275,05
От 100 264,15

Нет в наличии

IXFA76N15T2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 160,39
50 - 99 143,69
От 100 137,88

Нет в наличии

IXFA7N100P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 187,96
50 - 99 168,36
От 100 161,84

Нет в наличии

IXFA7N80P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 102,33
50 - 99 91,44
От 100 87,82

В наличии

IXFB100N50Q3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 685,81
25 - 49 1 509,46
От 50 1 450,68

Нет в наличии

IXFB110N60P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 898,42
25 - 49 804,81
От 50 773,60

Нет в наличии

IXFB120N50P2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 026,87
25 - 49 919,47
От 50 883,18

Нет в наличии

IXFB132N50P3
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 898,42
25 - 49 804,81
От 50 773,60

Нет в наличии

IXFB150N65X2
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 49 1 280,87
50 - 99 1 146,61
От 100 1 102,34

Нет в наличии

IXFB170N30P
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 1 283,77
25 - 49 1 149,51
От 50 1 104,52

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Технология Тип проводимости Напряжение исток-сток, В Ток стока, А
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Trench HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 150V. Ток с TO-263AB Trench HiPerFETs n-канальный 150 102
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 800V. Ток с 122,65 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 800 10
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 110А. Сопротивление кан 179,25 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 150 110
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Trench HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 100V. Ток с 107,06 TO-263AB Trench HiPerFETs n-канальный 100 130
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 130А. Сопротивление кан 146,59 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 100 130
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 14А. Сопротивл 115,39 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 14
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 16А. Сопротивл 144,42 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 16
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 16А. Сопротивл 235,86 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 16
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 100V. Ток стока (при t=25°C): 180А. Сопротивление кан 195,22 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 100 180
IXYS MOSFET-транзистор c быстрым встроенным диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология X-Class. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C 275,77 TO-263AB X-Class n-канальный 600 18
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 20А. Сопротивл 129,91 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 20
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 22А. Сопротивл 164,74 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 22
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AA. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 22А. Со 153,85 TO-263AA X2-Class (ultra junction) n-канальный 650 22
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 75V. Ток стока (при t=25°C): 230А. Сопротивление кана 195,22 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 75 230
IXYS MOSFET-транзистор c быстрым встроенным диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология X-Class. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C 186,51 TO-263AB X-Class n-канальный 600 24
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 26А. Сопротивл 193,04 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 26
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 34А. Сопр 210,45 TO-263 X2-Class (ultra junction) n-канальный 650 34
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 300V. Ток стока (при t=25°C): 36А. Сопротивл 140,79 TO-263AB PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 300 36
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 111,04 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1000 4
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 151,68 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1000 5
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1200V. Ток 306,98 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1200 6
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология TrenchT2™. Напряжение исток-сток: 150V. Ток стока (при t=25°C): 76А. Сопротивление кана 160,39 TO-263AB TrenchT2™ n-канальный 150 76
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 1000V. Ток 187,96 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 1000 7
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе TO-263AB. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 800V. Ток с 102,33 TO-263AB Polar™ HIPerFETs n-канальный 800 7
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология Q3-Class. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 100А. Сопротивление канал 1 685,81 PLUS264 Q3-Class n-канальный 500 100
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 600V. Ток стока (при t=25°C): 110А. Сопротивл 898,42 PLUS264 PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 600 110
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP2™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток 1 026,87 PLUS264 PolarP2™ HiPerFETs n-канальный 500 120
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология PolarP3™ HiPerFETs. Напряжение исток-сток: 500V. Ток стока (при t=25°C): 132А. Сопротивл 898,42 PLUS264 PolarP3™ HiPerFETs n-канальный 500 132
IXYS MOSFET-транзистор, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология X2-Class (ultra junction). Напряжение исток-сток: 650V. Ток стока (при t=25°C): 150А. Со 1 280,87 PLUS264 X2-Class (ultra junction) n-канальный 650 150
IXYS MOSFET-транзистор с быстровосстанавливающимся диодом, n-канальный в корпусе PLUS264. Технология Polar™ HIPerFETs. Напряжение исток-сток: 300V. Ток ст 1 283,77 PLUS264 Polar™ HIPerFETs n-канальный 300 170
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Вопрос-ответ

Задать вопрос