задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

MOSFET транзисторы

ЭЛТЕХ предлагает купить MOSFET транзисторы со склада таких производителей как Toshiba и IXYS. На складе представлена широкая линейка как одиночных MOSFET транзисторов, так и модулей MOSFET транзисторов для построения мостовых схем.

Наименование
2N6660
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 999 700,75
От 1000 630,67

Нет в наличии

2N6661
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 999 700,75
От 1000 630,67

Нет в наличии

2N7000-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 999 12,54
От 1000 11,29

Нет в наличии

2N7002-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 999 16,13
От 1000 14,51

Нет в наличии

2N7008-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 999 17,03
От 1000 15,33

Нет в наличии

2SJ360(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 13,88
10 - 24 13,88
От 25 13,88

Нет в наличии

2SJ598-Z-E1-AZ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 36,54
10 - 24 35,52
От 25 35,52

Нет в наличии

2SJ605-ZJ-E1-AZ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 103,42
10 - 24 100,50
От 25 100,50

В наличии

2SJ668(TE16L1,NQ)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 20,06
10 - 24 20,06
От 25 20,06

Нет в наличии

2SJ681(Q)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 17,90
10 - 24 17,41
От 25 16,91

Нет в наличии

2SK1852-T
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 62,22
10 - 24 60,31
От 25 60,31

В наличии

2SK2399(TE16L1,NQ)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 22,05
10 - 24 22,05
От 25 22,05

Нет в наличии

2SK2615(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 10,36
10 - 24 10,36
От 25 10,36

Нет в наличии

2SK2719(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 78,86
10 - 24 76,65
От 25 74,46

Нет в наличии

2SK2847(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 150,34
10 - 24 146,14
От 25 141,94

Нет в наличии

2SK2865(TE16L1,NQ)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 19,49
10 - 24 19,49
От 25 19,49

Нет в наличии

2SK2917(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 198,46
10 - 24 192,91
От 25 187,36

Нет в наличии

2SK2963(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 16,40
10 - 24 15,94
От 25 15,48

Нет в наличии

2SK2992(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 15,99
10 - 24 15,54
От 25 15,10

Нет в наличии

2SK3110
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 56,29
10 - 24 54,56
От 25 54,56

В наличии

2SK3471(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 20,10
10 - 24 19,53
От 25 18,97

Нет в наличии

2SK3480-AZ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 117,54
10 - 24 114,26
От 25 114,26

В наличии

2SK3564(STA4,Q,M)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 37,26
10 - 24 37,26
От 25 37,26

Нет в наличии

2SK3565(STA4,Q,M)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 48,58
10 - 24 48,58
От 25 48,58

Нет в наличии

2SK3633(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 73,08
10 - 24 73,08
От 25 70,09

Нет в наличии

2SK3700(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 64,36
10 - 24 64,36
От 25 64,36

Нет в наличии

2SK3767(STA4,Q,M)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 29,11
10 - 24 28,30
От 25 27,49

Нет в наличии

2SK3798(STA4,Q,M)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 34,70
10 - 24 34,70
От 25 34,70

Нет в наличии

2SK3799(Q,M)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 106,33
10 - 24 103,36
От 25 100,38

Нет в наличии

2SK3843(TE24L,Q)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 86,10
10 - 24 83,70
От 25 81,29

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Тип монтажа Распродажа компонентов Полярность VDSS, В ID, А Qg (нКл) PD, Вт RDS(ON)(Макс)@VGS=10В, Ом
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 3 Ohm, 3 TO-39 BAG 700,75
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 90V, 4 Ohm, 3 TO-39 BAG 700,75
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 5 Ohm, 3 TO-92 BAG 12,54
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 7.5 Ohm, 3 SOT-23 T/R 16,13
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 7.5 Ohm, 3 TO-92 BAG 17,03
Toshiba 13,88
Renesas Electronics MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж 36,54 3pin-TO252 Поверхностный P-канальный -60 -12 15 23 0.13
Renesas Electronics MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-63 А, Qg=87 нКл, PD=100 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,02 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж 103,42 3pin-TO263 Поверхностный P-канальный -60 -63 87 100 0.02
Toshiba 20,06
Toshiba 17,90
Renesas Electronics 62,22
Toshiba 22,05
Toshiba 10,36
Toshiba 78,86
Toshiba 150,34
Toshiba 19,49
Toshiba 198,46
Toshiba 16,40
Toshiba Не рекомендуется для новых разработок 15,99
Renesas Electronics 56,29
Toshiba 20,10
Renesas Electronics MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=100 В, ID=50 А, Qg=74 нКл, PD=1,5 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,031 , 3pin-TO-220 Поверхностный монтаж 117,54 3pin-TO-220 Сквозной N-канальный 100 50 74 1.5 0.031
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=3 А, Qg=17 нКл, PD=40 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =4,3 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтаж 37,26 3pin-TO-220SIS Сквозной N-канальный 900 3 17 40 4.3
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=5 А, Qg=28 нКл, PD=45 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2,5 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтаж 48,58 3pin-TO-220SIS Сквозной N-канальный 900 5 28 45 2.5
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=800 В, ID=7 А, Qg=35 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1,7 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтаж 73,08 3pin-TO-3P(N) Сквозной N-канальный 800 7 35 150 1.7
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=5 А, Qg=28 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2,5 , 3pin-TO-3P(N) монтаж 64,36 3pin-TO-3P(N) Сквозной N-канальный 900 5 28 150 2.5
Toshiba 29,11
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=4 А, Qg=26 нКл, PD=40 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =3,5 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтаж 34,70 3pin-TO-220SIS Сквозной N-канальный 900 4 26 40 3.5
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=8 А, Qg=60 нКл, PD=50 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1,3 , 3pin-TO-220SIS монтаж 106,33 3pin-TO-220SIS Сквозной N-канальный 900 8 60 50 1.3
Toshiba 86,10
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

MOSFET транзисторы IXYS представлены следующими семействами:

  • Trench и Trench Power MOSFET: идеально подходят для низковольтных применений с большим током коммутации. Для них характерно маленькое сопротивление открытого канала.
  • HiPerFET: технология, которая может применяться совместно с другими технологиями, ее особенность в наличии быстрого обратного диода, а также минимального сопротивления открытого канала и минимального заряда затвора.
  • Polar Power MOSFET (IXT): проприетарная технология, позволившая уменьшить на 30% сопротивления канала и одновременно уменьшить заряд затвора, позволяет строить оптимизированные по цене импульсные источники питания.
  • PlarP2 Power MOSFET: модельный ряд транзисторов семейства Polar Power MOSFET оптимизированный для работы в классе устройств 500.
  • PlarP3 HiPerFET Power MOSFET: самая последняя модификация транзисторов семейства Polar Power MOSFET, оптимизированная для работы в классе устройств 300-600 вольт.
  • Extended FBSOA Linear Power MOSFET: Семейство силовых транзисторов, работающих в линейном режиме, предназначеных для работы в таких устройствах как: источники тока, программируемая нагрузка, регулятор напряжения, устройства плавного пуска/останова, управление двигателями и т.п. Не предназначены для работы в схемах с высокими частотами переключения.
  • Depleation-Mode MOSFET: Полевой транзистор, работающий в режиме обеднения, работает в так называемом ”нормально - открытом” режиме. Для того, чтобы закрыть данный тип транзистора  требуется приложить отрицательный потенциал к затвору. Области применения: источник тока, твердотельное реле, активная нагрузка, схема запуска и т.п.
  • PolarP P-Channel Power MOSFET: P-канальный MOSFET, построенный на основе проприетарной технологии IXYS, позволившей уменьшить на 30% сопротивления канала и одновременно уменьшить заряд затвора. Используется в качестве верхнего плеча мостовой схемы, позволяет строить схемотехнически более простые и оптимизированные по цене импульсные источники питания.
  • Q3-Class HiPerFET MOSFET: Полевой транзистор с уменьшенным зарядом затвора и уменьшенной «емкостью Миллера». Оптимизирован для работы в высокочастотных силовых импульсных схемах.
  • Very High Voltage Power MOSFET: N-канальный MOSFET, спроектированный для работы в высоковольтных (2,5 кВ и 4,5 кВ) высокочастотных импульсных преобразователях. Может работать при параллельном включении нескольких аналогичных транзисторов, т.к. имеет положительный температурный коэффициент  открытого канала.

Кроме MOSFET транзисторов на складе также поддерживаются IGBT транзисторы, силовые диоды и модули на их основе. А также широкая номенклатура драйверов MSFET и IGBT транзисторов.

Вопрос-ответ

Задать вопрос