задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

MOSFET транзисторы

ЭЛТЕХ предлагает купить MOSFET транзисторы со склада таких производителей как Toshiba и IXYS. На складе представлена широкая линейка как одиночных MOSFET транзисторов, так и модулей MOSFET транзисторов для построения мостовых схем.

Наименование
2N6660
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 249 925,31
250 - 999 846,18
От 1000 834,00

Нет в наличии

2N6661
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 249 925,31
250 - 999 846,18
От 1000 834,00

Нет в наличии

2N7000-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 249 16,57
250 - 999 15,15
От 1000 14,93

Нет в наличии

2N7002-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 249 21,30
250 - 999 19,48
От 1000 19,20

Нет в наличии

2N7008-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 249 22,48
250 - 999 20,56
От 1000 20,26

Нет в наличии

2SJ360(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 18,25
10 - 24 17,76
От 25 17,52

Нет в наличии

2SJ598-Z-E1-AZ
2SJ601-Z-E1
2SJ605-ZJ-E1
2SJ605-ZJ-E1-AZ
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 54,23

В наличии

2SJ668(TE16L1,NQ)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 26,40
10 - 24 25,67
От 25 25,31

Нет в наличии

2SJ681(Q)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 17,90
10 - 24 17,41
От 25 16,91

Нет в наличии

2SK1588-T1
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 1,18

В наличии

2SK1852-T
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 1,18

В наличии

2SK2399(TE16L1,NQ)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 29,02
10 - 24 28,23
От 25 27,82

Нет в наличии

2SK2615(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 13,63
10 - 24 13,26
От 25 13,07

Нет в наличии

2SK2719(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 78,86
10 - 24 76,65
От 25 74,46

Нет в наличии

2SK2847(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 150,34
10 - 24 146,14
От 25 141,94

Нет в наличии

2SK2865(TE16L1,NQ)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 27,14
10 - 24 26,40
От 25 26,03

Нет в наличии

2SK2917(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 198,46
10 - 24 192,91
От 25 187,36

Нет в наличии

2SK2963(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 16,40
10 - 24 15,94
От 25 15,48

Нет в наличии

2SK2992(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 15,99
10 - 24 15,54
От 25 15,10

Нет в наличии

2SK3110
2SK3294-ZJ-E1-AZ/JM
2SK3471(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 20,10
10 - 24 19,53
От 25 18,97

Нет в наличии

2SK3480
2SK3480-AZ
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 34,52

В наличии

2SK3564(STA4,Q,M)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 49,02
10 - 24 47,70
От 25 47,02

Нет в наличии

2SK3565(STA4,Q,M)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 63,91
10 - 24 62,16
От 25 61,30

Нет в наличии

2SK3633(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 83,18
10 - 24 83,18
От 25 79,78

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Тип монтажа Распродажа компонентов Полярность VDSS, В ID, А Qg (нКл) PD, Вт RDS(ON)(Макс)@VGS=10В, Ом
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 3 Ohm, 3 TO-39 BAG 925,31
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 90V, 4 Ohm, 3 TO-39 BAG 925,31
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 5 Ohm, 3 TO-92 BAG 16,57
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 7.5 Ohm, 3 SOT-23 T/R 21,30
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 7.5 Ohm, 3 TO-92 BAG 22,48
Toshiba 18,25
Renesas Electronics MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж 3pin-TO252 Поверхностный P-канальный -60 -12 15 23 0.13
Renesas Electronics
Renesas Electronics MOSFET, Pch-канальный, VDSS=-60V, Id=-65А, Rds(on)max= 0.02Ом@VGS=10B
Renesas Electronics MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-63 А, Qg=87 нКл, PD=100 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,02 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж 54,23 3pin-TO263 Поверхностный Да P-канальный -60 -63 87 100 0.02
Toshiba 26,40
Toshiba 17,90
Renesas Electronics 1,18 3pin-SOT-89 Поверхностный Да N-канальный 16 1 27 2 0.5
Renesas Electronics 1,18 MP-10 Сквозной Да N-канальный 100 10 27 1.8 0.12
Toshiba 29,02
Toshiba 13,63
Toshiba 78,86
Toshiba 150,34
Toshiba 27,14
Toshiba 198,46
Toshiba 16,40
Toshiba Не рекомендуется для новых разработок 15,99
Renesas Electronics SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE 3pin-TO-220 Сквозной N-канальный 200 14 40 2 0.0018
Renesas Electronics
Toshiba 20,10
Renesas Electronics MOSFET, Nch-канальный, Single, VDSS=100В, ID(DC)=50А, RDS(ON)max=0.03Ом@VGS=10V , MP-25/TO-220
Renesas Electronics MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=100 В, ID=50 А, Qg=74 нКл, PD=1,5 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,031 , 3pin-TO-220 Поверхностный монтаж 34,52 3pin-TO-220 Сквозной Да N-канальный 100 50 74 1.5 0.031
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=3 А, Qg=17 нКл, PD=40 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =4,3 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтаж 49,02 3pin-TO-220SIS Сквозной N-канальный 900 3 17 40 4.3
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=5 А, Qg=28 нКл, PD=45 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2,5 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтаж 63,91 3pin-TO-220SIS Сквозной N-канальный 900 5 28 45 2.5
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=800 В, ID=7 А, Qg=35 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1,7 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтаж 83,18 3pin-TO-3P(N) Сквозной N-канальный 800 7 35 150 1.7
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

MOSFET транзисторы IXYS представлены следующими семействами:

  • Trench и Trench Power MOSFET: идеально подходят для низковольтных применений с большим током коммутации. Для них характерно маленькое сопротивление открытого канала.
  • HiPerFET: технология, которая может применяться совместно с другими технологиями, ее особенность в наличии быстрого обратного диода, а также минимального сопротивления открытого канала и минимального заряда затвора.
  • Polar Power MOSFET (IXT): проприетарная технология, позволившая уменьшить на 30% сопротивления канала и одновременно уменьшить заряд затвора, позволяет строить оптимизированные по цене импульсные источники питания.
  • PlarP2 Power MOSFET: модельный ряд транзисторов семейства Polar Power MOSFET оптимизированный для работы в классе устройств 500.
  • PlarP3 HiPerFET Power MOSFET: самая последняя модификация транзисторов семейства Polar Power MOSFET, оптимизированная для работы в классе устройств 300-600 вольт.
  • Extended FBSOA Linear Power MOSFET: Семейство силовых транзисторов, работающих в линейном режиме, предназначеных для работы в таких устройствах как: источники тока, программируемая нагрузка, регулятор напряжения, устройства плавного пуска/останова, управление двигателями и т.п. Не предназначены для работы в схемах с высокими частотами переключения.
  • Depleation-Mode MOSFET: Полевой транзистор, работающий в режиме обеднения, работает в так называемом ”нормально - открытом” режиме. Для того, чтобы закрыть данный тип транзистора  требуется приложить отрицательный потенциал к затвору. Области применения: источник тока, твердотельное реле, активная нагрузка, схема запуска и т.п.
  • PolarP P-Channel Power MOSFET: P-канальный MOSFET, построенный на основе проприетарной технологии IXYS, позволившей уменьшить на 30% сопротивления канала и одновременно уменьшить заряд затвора. Используется в качестве верхнего плеча мостовой схемы, позволяет строить схемотехнически более простые и оптимизированные по цене импульсные источники питания.
  • Q3-Class HiPerFET MOSFET: Полевой транзистор с уменьшенным зарядом затвора и уменьшенной «емкостью Миллера». Оптимизирован для работы в высокочастотных силовых импульсных схемах.
  • Very High Voltage Power MOSFET: N-канальный MOSFET, спроектированный для работы в высоковольтных (2,5 кВ и 4,5 кВ) высокочастотных импульсных преобразователях. Может работать при параллельном включении нескольких аналогичных транзисторов, т.к. имеет положительный температурный коэффициент  открытого канала.

Кроме MOSFET транзисторов на складе также поддерживаются IGBT транзисторы, силовые диоды и модули на их основе. А также широкая номенклатура драйверов MSFET и IGBT транзисторов.

Вопрос-ответ

Задать вопрос