задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

Память NAND FLASH

В компании ЭЛТЕХ можно купить NAND FLASH-память проверенного производителя- компании Toshiba Electronics. Компания имеет большой опыт работы на рынке и предоставляет только качественные товары.

Наименование
GD5F1GQ4RCYIG
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 123,69

Нет в наличии

GD5F1GQ4UBYIG
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 123,69

Нет в наличии

GD5F1GQ4UCYIG
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 123,69

Нет в наличии

GD5F2GQ4RCYIG
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 177,80

Нет в наличии

GD5F2GQ4UBYIG
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 177,80

Нет в наличии

GD5F2GQ4UCYIG
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 177,80

Нет в наличии

GD5F4GQ4RBYIG
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 340,14

Нет в наличии

GD5F4GQ4RCYIG
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 340,14

Нет в наличии

GD5F4GQ4UBYIG
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 340,14

Нет в наличии

GD5F4GQ4UCYIG
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 340,14

Нет в наличии

K9F1G08U0D-SCB0000
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 152,29
10 - 24 147,68
От 25 143,06

Нет в наличии

K9F1G08U0D-SCB0T00
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 152,29
10 - 24 147,68
От 25 143,06

Нет в наличии

K9F1G08U0D-SIB0000
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 152,29
10 - 24 147,68
От 25 143,06

Нет в наличии

K9F1G08U0D-SIB0T00
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1,18
От 10 61,36

Нет в наличии

K9F1G08U0E-SCB0000
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 152,29
10 - 24 147,68
От 25 143,06

Нет в наличии

K9F1G08U0E-SCB0T00
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 152,29
10 - 24 147,68
От 25 143,06

Нет в наличии

K9F1G08U0E-SIB0000
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 152,29
10 - 24 147,68
От 25 143,06

Нет в наличии

K9F1G08U0E-SIB0T00
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 152,29
10 - 24 147,68
От 25 143,06

Нет в наличии

K9F2G08U0C-SCB0000
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 193,30
10 - 24 187,44
От 25 181,59

Нет в наличии

K9F2G08U0C-SCB0T00
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 193,30
10 - 24 187,44
От 25 181,59

Нет в наличии

K9F2G08U0C-SIB0000
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 193,30
10 - 24 187,44
От 25 181,59

Нет в наличии

K9F2G08U0C-SIB0T00
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1,51
От 10 76,70

Нет в наличии

K9F4G08U0D-SCB0000
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 310,45
10 - 24 301,04
От 25 291,63

Нет в наличии

K9F4G08U0D-SCB0T00
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 310,45
10 - 24 301,04
От 25 291,63

Нет в наличии

K9F4G08U0D-SIB0000
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 310,45
10 - 24 301,04
От 25 291,63

Нет в наличии

K9F4G08U0D-SIB0T00
Количество Цена с НДС, руб.
От 10 106,20

Нет в наличии

K9F4G08U0E-SCB0000
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 310,45
10 - 24 301,04
От 25 291,63

Нет в наличии

K9F4G08U0E-SCB0T00
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 310,45
10 - 24 301,04
От 25 291,63

Нет в наличии

K9F4G08U0E-SIB0000
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 310,45
10 - 24 301,04
От 25 291,63

Нет в наличии

K9F4G08U0E-SIB0T00
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 310,45
10 - 24 301,04
От 25 291,63

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Объём Корпус Распродажа компонентов Диапазон температур, °C Встроенный ECC Vcc Размер страницы
GigaDevice SPI NAND Flash 1Gbit, 1.8V, Single / Dual / Quad SPI 120 MHz, WSON8x6, Ta=-40..+85 C, GigaDevice 123,69
GigaDevice SPI NAND Flash 1Gbit, 2.7V-3.6V, Single / Dual / Quad SPI 120 MHz, WSON8x6, Ta=-40..+85 C, GigaDevice 123,69
GigaDevice SPI NAND Flash 1Gbit, 3.3V, Single / Dual / Quad SPI 120 MHz, WSON8x6, Ta=-40..+85 C, GigaDevice 123,69
GigaDevice SPI NAND Flash 2Gbit, 1.8V, Single / Dual / Quad SPI 120 MHz, WSON8x6, Ta=-40..+85 C, GigaDevice 177,80
GigaDevice SPI NAND Flash 2Gbit, 3.3V, Single / Dual / Quad SPI 120 MHz, WSON8x6, Ta=-40..+85 C, GigaDevice 177,80
GigaDevice SPI NAND Flash 2Gbit, 3.3V, Single / Dual / Quad SPI 120 MHz, WSON8x6, Ta=-40..+85 C, GigaDevice 177,80
GigaDevice SPI NAND Flash 4Gbit, 1.8V, Single / Dual / Quad SPI 120 MHz, WSON8x6, Ta=-40..+85 C, GigaDevice 340,14
GigaDevice SPI NAND Flash 4Gbit, 1.8V, Single / Dual / Quad SPI 120 MHz, WSON8x6, Ta=-40..+85 C, GigaDevice 340,14
GigaDevice SPI NAND Flash 4Gbit, 3.3V, Single / Dual / Quad SPI 120 MHz, WSON8x6, Ta=-40..+85 C, GigaDevice 340,14
GigaDevice SPI NAND Flash 4Gbit, 3.3V, Single / Dual / Quad SPI 120 MHz, WSON8x6, Ta=-40..+85 C, GigaDevice 340,14
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C 152,29
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C 152,29
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C 152,29
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C 1,18 Нет
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C 152,29
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C 152,29
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C 152,29
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 1Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C 152,29
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 2Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C 193,30
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 2Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C 193,30
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 2Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C 193,30
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 2Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C 1,51
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 4Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C 310,45
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 4Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C 310,45
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 4Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C 310,45
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 4Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C 106,20 Нет
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 4Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C 310,45
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 4Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = 0°C..70°C 310,45
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 4Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C 310,45
Samsung Semiconductor IC, NAND-память, 4Гб, x8, Vcc=3.3V, TSOP1-48, Ta = -40°C..85°C 310,45 Нет
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

NAND FLASH-память представляет собой полупроводниковое устройство, которое позволяет хранить значительные объемы информации, а также многократно стирать и записывать данные. Данный вид памяти используется в мобильных телефонах, Set-top-Box, IPTV-Box, «флешках», картах памяти, одноплатных компьютерах и др.

В 1984 году компания Toshiba разработала новый тип полупроводникового запоминающего компонента под названием Flash-память, позволившего осуществить прорыв в области электроники и значительно опередить конкурентов.  Некоторое время спустя, в 1987 году, был разработан новый тип Flash-памяти NAND, который до сих пор используется, как в различных картах памяти, так и в электронном оборудовании. На сегодняшний день рынок NAND Flash-памяти стремительно растет, становясь международным стандартом запоминающих устройств.

Вопрос-ответ

Задать вопрос