задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

Энергонезависимая память 1 Мбит с Uпит=2…3,6 В от RAMTRON

14.10.2008

Компания RAMTRON представляет новый компонент FM25V10-G. Он имеет быстрый доступ по записи/чтению, практически неограниченное число циклов перезаписи и низкое энергопотребление (около 38 мкА на МГц), что на порядок ниже, чем в аналогичных версиях FLASH и EEPROM.

FM25V10-G — идеальная альтернатива микросхемам FLASH и EEPROM в таких применениях, как:

  • Устройства управления производственными процессами;
  • Измерительные приборы;
  • Медицинское, военное и компьютерное оборудование;
  • Автомобильные и игровые устройства.

FM25V10-G имеет SPI интерфейс и содержит доступный для чтения идентификационный номер (device ID), который хранит информацию о производителе, объеме памяти и модификации микросхемы.

Доступна также версия компонента, снабженная дополнительной функцией 64-разрядного серийного номера (FM25VN10-G).

Основные характеристики:

  • Организация памяти FRAM: 1 Мбит (128 К × 8 бит);
  • 1014 циклов перезаписи;
  • Напряжение питания: 2,0…3,6 В;
  • Последовательный интерфейс (SPI) со скоростью передачи данных до 40 MГц;
  • Доступный для чтения ID устройства;
  • Аппаратная и программная защита от записи;
  • Доступный для чтения 64-разрядный серийный номер, с заводским программированием 16 разрядов по запросу пользователя (для FM25VN10-G);
  • Ток потребления:
    — в рабочем режиме на частоте 40 МГц — не более 3 мА;
    — в режиме простоя — не более 150 мкА; — в спящем режиме — не более 8 мкА;
  • Рабочий диапазон температур: -40…+85 °С;
  • Корпус SOIC-8.

Полную техническую документацию можно найти на сайте производителя.

В настоящее время поставляются инженерные образцы новой микросхемы, заказать которые Вы можете, обратившись в компанию ЭЛТЕХ по электронной почте.