задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

Энергонезависимая память F-RAM 4 Мбит в миниатюрном BGA корпусе

20.03.2009

Компания Ramtron объявила о начале производства микросхемы энергонезависимой памяти FRAM объемом 4 Мбит с параллельным интерфейсом — FM22LD16. Микросхема имеет практически неограниченный ресурс циклов перезаписи, содержит монитор напряжения питания для защиты от случайной записи. Выводы микросхемы соответствуют стандарту расположения выводов (JEDEC) микросхем памяти SRAM.

Основные характеристики FM22LD16:

  • Организация памяти FRAM: 4 Мбит (256 K × 16 бит, либо 512 К × 8 бит);
  • Число циклов перезаписи: 1014;
  • Время доступа к памяти: 55 нс;
  • Напряжение питания: 2,7…3,6 В;
  • Монитор напряжения питания;
  • Возможность программной защиты блоков памяти;
  • Ток потребления:
    — в рабочем режиме: 12 мА;
    — в режиме хранения: 90 мкA;
  • Корпус FBGA-48;
  • Рабочий диапазон температур: -40…+85 °С.

Для получения более подробной информации вы можете обратиться в один из наших офисов.