задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

MIXD600PF650TSF – полумостовой IGBT модуль на 650 В и 600 А с малыми потерями от IXYS

31.10.2013

Компания Элтех, официальный дистрибьютор корпорации IXYS, представляет транзисторный IGBT модуль MIXD600PF650TSF с улучшенными характеристиками. Этот модуль оптимизирован для применения в управлении электродвигателями, в источниках бесперебойного питания и в инверторах различных видов. IGBT _MIXD600PF650TSF

 MIXD600PF650TSF выполнен по схеме полумоста и представляет собой комбинацию из IGBT серии XPT  и Sonic™ диода, что позволило получить быструю и мягкую характеристику переключения с низкими динамическими потерями.

К основным преимуществам MIXD600PF650TSF относятся:

  • Низкое падение напряжения на открытом транзисторе
  • Низкий заряд затвора
  • Положительный температурный коэффициент (что позволяет включать их параллельно)
  • Прямоугольная зона безопасной работы (RBSOA)
  • Устойчивость к токам короткого замыкания (10 мкс)
  • Наличие датчика температуры

Основные технические характеристики MIXD600PF650TSF:

Наименование параметра

Значение

Напряжение коллектор-эмиттер Vces, (В)   

650  

Ток через открытый транзистор при Тс=80ОС  Ic80, (А)  

640  

Ток через открытый транзистор при Тс=25ОС  Ic25, (А)  

850

Падение напряжения на открытом транзисторе Vce(sat), typ, Tj 25°C (В)  

1.5

Потери энергии при включении Eon, typ, 125°C (мДж)  

15  

Потери энергии при выключении Eoff, typ, 125°C (мДж)  

25  

Внутреннее тепловое сопротивление переход-корпус RthJC, typ, IGBT (0С/Вт)  

0.073  

 

Подробное техническое описание можно прочитать  здесь

Заказать образцы и получить более подробную информацию Вы можете, обратившись к нам по электронной почте