задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

Новая группа силовых полевых транзисторов с током стока до 100 А

18.03.2008

NEC Electronics расширяет семейство силовых MOSFET-транзисторов, работающих в области низких напряжений.

NP-серия силовых МОS-транзисторов является частью семейства транзисторов, рассчитанных на работу с низкими напряжениями. Семейство имеет отличные характеристики, которые позволяют реализовывать энергетически эффективные механизмы использования энергии в источниках питания, системах автоэлектроники, системах управления двигателями, офисных и роботизированных системах, а также системах бесперебойного питания.

Новые транзисторы отличаются высокой устойчивостью к лавинному пробою, а также способностью выдерживать высокие температуры проводящего канала, в комбинации с характерно низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)) и малой входной емкостью (Ciss).

Транзисторы рассчитаны на работу в двух диапазонах рабочего напряжения VDSS (40 и 55 В), и двух диапазонах проводимых токов ID (DC) (90 и 100 A). Имеются исполнения, адаптированные к различным типам сигналов, управляющих затвором цифровым (logic) / аналоговым (non-logic).

Такая «выносливость» была достигнута благодаря применению недавно разработанной полупроводниковой технологии UMOS-2R. Это усовершенствованный 0,5 мкм технологический процесс UMOS-2, разработанный в лабораториях NEC Electronics. В результате максимальная энергия лавинного пробоя может достигать 1000 мДж, а максимальная температура канала — 200 °C. Типовой значение сопротивления открытого канала RDS(on) лежит в диапазоне от 2,9 мОм до 5,8 мОм, а емкость Ciss от 5500 пФ до 9500 пФ.

Транзисторы доступны в трех наиболее популярных видах корпусов: TO-220, TO-262 и TO-263ZP.

Все 24 устройства полностью совместимы с требованиями AEC-Q101 и RoHS.

Vси Наименование Ток стока Tкан. макс. Энергия лав. пробоя Макс. Rкан (вкл)при Vзи = 10 В Vзи Vзи (порог) Package
40 В NP100N04MDH 100 A 200 °C (тест 250 часов) 1000 мДж 3,3 мОм ±12 В 2 В TO-220
NP100N04NDH 3,3 мОм TO-262
NP100N04PDH 2,9 мОм TO-263
NP100N04MUH 3,5 мОм ±20 В 3 В TO-220
NP100N04NUH 3,5 мОм TO-262
NP100N04PUH 3,1 мОм TO-263
NP90N04MDH 90 A 3,8 мОм ±12 В 2 В TO-220
NP90N04NDH 3,8 мОм TO-262
NP90N04PDH 3,4 мОм TO-263
NP90N04MUH 4,1 мОм ±20 В 3 В TO-220
NP90N04NUH 4,1 мОм TO-262
NP90N04PUH 3,8 мОм TO-263
55 В NP100N055MDH 100 A 4,8 мОм ±12 В 2 В TO-220
NP100N055NDH 4,8 мОм TO-262
NP100N055PDH 4,4 мОм TO-263
NP100N055MUH 4,9 мОм ±20 В 3 В TO-220
NP100N055NUH 4,9 мОм TO-262
NP100N055PUH 4,5 мОм TO-263
NP90N055MDH 90 A 5,5 мОм ±12 В 2 В TO-220
NP90N055NDH 5,5 мОм TO-262
NP90N055PDH 5,1 мОм TO-263
NP90N055MUH 5,8 мОм ±20 В 3 В TO-220
NP90N055NUH 5,8 мОм TO-262
NP90N055PUH 5,4 мОм TO-263

Следуя тенденции повышения спроса на более надежные системы, эти устройства идеальны для применений, характеризующихся повышенной температурой окружающей среды (например, вентилятор охлаждения двигателя), высокой возможностью лавинного пробоя (например, системы кондиционирования и вентиляции), сильными токами (например, системы руля электрические и электрогидравлические). В настоящее время серийное производство этой серии запущено и доступны образцы на все модели.

Более подробную информацию о силовых MOS-транзисторах и интеллектуальных ключах можно найти на сайте NEC Electronics или обратившись в любой из наших офисов к инженерам по применению.