задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

Новая память FRAM с низковольтным питанием

18.12.2008

Компания Ramtron дополнила новую линейку микросхем энергонезависимой памяти FRAM с напряжениями питания 2…3,6 В двумя микросхемами — FM28V100 с массивом памяти 1 Мбит и FM25V05 объемом 512 кбит.

FM28V100 имеет параллельный интерфейс доступа к памяти, практически неограниченный ресурс циклов перезаписи (1014), малое время доступа (60 нс). Микросхема соответствует стандарту расположения выводов (JEDEC) микросхем памяти SRAM.

FM25V05 имеет SPI интерфейс, содержит доступный для чтения идентификационный номер (device ID), который хранит информацию о производителе, объеме памяти и модификации микросхемы.

Существует версия микросхемы, снабженная дополнительной функцией 64-разрядного серийного номера (FM25VN5-G).

FM25V05 — идеальная замена микросхемам EEPROM и FLASH в тех случаях, когда необходима более высокая скорость работы с памятью и огромный ресурс циклов перезаписи.

Основные параметры новых микросхем приведены в таблице:

Параметры FM28V100 FM25V05
Объем памяти 1 МБит 512 КБит
Интерфейс параллельный SPI
Число циклов перезаписи 1014 1014
Напряжение питания 2,0…3,6 В
Скорость доступа/работы 60 нс 40 МГц
Ток потребления в рабочем режиме — не более 12 мА
в режиме покоя — не более 150 мкА
в рабочем режиме на частоте 40 МГц — не более 3мА
в режиме покоя — не более 150 мкА
в спящем режиме — не более 8 мкА
Диапазон температур -40…+85 °С
Корпус TSOP-I 32 SOIC-8

Полную техническую документацию можно найти на сайте производителя:

В настоящее время поставляются инженерные образцы новых микросхем, заказать которые Вы можете, обратившись в компанию ЭЛТЕХ по электронной почте.