задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

Новые мощные СВЧ-транзисторы от NEC Electronics

14.02.2007

Компания NEC Electronics объявила о выпуске новых мощных СВЧ-транзисторов NE55410GR и NE55430M81. Сборки состоят из двух каскадов полевых транзисторов, изготовленных по LDMOS-технологии (МОП с боковой диффузией). Важнейшими отличиями LDMOS-транзисторов от биполярных приборов являются: хорошая линейность в широком динамическом диапазоне, большое усиление, термостабильность, устойчивость к рассогласованию с нагрузкой, высокий КПД, запас по рассеиваемой мощности, надежность. Схемы транзисторов содержат внутренние согласующие цепи на входе и встроенную защиту от электростатических разрядов (ESD). NE55410GR и NE55430M81 имеют недорогие пластиковые корпуса для поверхностного монтажа, а также высокую повторяемость характеристик от партии к партии.

 
NE55410GR
10 Вт

NE55430M81
30 Вт
Основные характеристики Диапазон частот 0,1…2,6 ГГц Диапазон частот 0,1…2,3 ГГц
Большое усиление
(более 16 дБ на каждом транзисторе)
Большое усиление
(более 12 дБ на каждом транзисторе)
Два полевых транзистора
(2 Вт +10 Вт) в одном корпусе
Два полевых транзистора
(8 Вт +30 Вт) в одном корпусе
Встроенная ESD-защита Встроенная ESD-защита
Превосходная стабильность инжекции горячих носителей (Hot Carrier Injection, HCI) Превосходная стабильность инжекции горячих носителей (Hot Carrier Injection, HCI)

Благодаря широкому рабочему диапазону частот (от 0,1 до 2,6 ГГц), большому усилению (до 35 дБ) и большой выходной мощности (до 30 Вт) эти транзисторы могут применяться в передатчиках различного назначения, где требуется высокий коэффициент усиления и большая плотность мощности. Это промежуточные и выходные каскады усилителей: базовых станций сетей сотовой связи, телевизионных передатчиков аналогового и цифрового сигнала, радиорелейных станций.

NE55410GR
Электрические характеристики (Т=25°С)
Параметры Обозначения Условия испытаний Тип. Макс. Единицы
Q1
(2 Вт)
Выходная мощность Р-1дБ f=960 МГц, Vси=28 В, Iс=20 мА 34,4 - дБм
Усиление Ga f=960 МГц, Vси=28 В, Iс=20 мА 17,5 - дБ
Эффективность стока nd f=960 МГц, Vси=28 В, Iс=20 мА, Pвых=P1дБ 55 - %
Q2
(10 Вт)
Выходная мощность Р-1дБ f=960 МГц, Vси=28 В, Iс=100 мА 41 - дБм
Усиление Ga f=960 МГц, Vси=28 В, Iс=100 мА 17,5 - дБ
Эффективность стока nd f=960 МГц, Vси=28 В, Iс=100 мА, Pвых=P1дБ 58 - %
  Тепловое сопротивление Rth Переход-корпус 2,5 3,0 °С/Вт

NE55430M81
Электрические характеристики (Т=25°С)
Параметры Обозначения Условия испытаний Тип. Макс. Единицы
Q1
(8 Вт)
Выходная мощность Р-1дБ f=2140 МГц, Vси=28 В, Iс=100 мА 40,4 - дБм
Усиление Ga f=2140 МГц, Vси=28 В, Iс=100 мА, Pвх=20 дБм 12,5 - дБ
Эффективность стока nd f=2140 МГц, Vси=28 В, Iс=100 мА, Pвых=P1дБ 46 - %
Q2
(30 Вт)
Выходная мощность Р-1дБ f=2140 МГц, Vси=28 В, Iс=400 мА 46 - дБм
Усиление Ga f=2140 МГц, Vси=28 В, Iс=400 мА, Pвх=25 дБм 12 - дБ
Эффективность стока nd f=2140 МГц, Vси=28 В, Iс=400 мА, Pвых=P1дБ 36 - %
Тепловое сопротивление Rth Переход-корпус 1,2 1,3 °С/Вт

Заказать образцы новых мощных СВЧ-транзисторов, а так же получить более подробную информацию можно в одном из офисов компании Элтех.

Полная документация для мощных СВЧ-транзисторов