задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

Новые высоковольтные P-канальные MOSFET-транзисторы от IXYS

24.11.2010

Компания IXYS расширяет линию P-канальных MOSFET-транзисторов. Транзисторы производятся по TrenchPTM технологии в стандартных корпусах TO-252, TO-263, TO-220 и TO-247.

Из особенностей транзисторов можно отметить:

  • Нормированные лавинные характеристики
  • Расширенную FBSOA (безопасную рабочую зону прямого смещения)
  • Встроенный быстрый диод
  • Малое сопротивление открытого канала RDS(ON) и заряд затвора QG
  • Высокую удельную мощность

Возможные области применения:

  • Высоковольтные переключатели
  • Двухтактные усилители
  • Чопперные схемы
  • Измерительное оборудование
  • Стабилизаторы тока
  • Зарядные устройства

Краткие технические характеристики:

Наименование Корпус Напряжение сток-исток VDSS, В Ток стока при 25 ºС ID25, А Сопротивление открытого канала RDS(on), мОм Мощность PD, Вт Заряд затвора, QG(on), нКл Время восстановления trr, нсек Рабочая температура кристалла TJ, ºС
IXTA32P20T TO-263 -200 -32 130 300 185 190 -55…+150
IXTP32P20T TO-220
IXTH32P20T TO-247
IXTY15P15T TO-252 -150 -15 240 150 48 120 -55…+150
IXTA15P15T TO-263
IXTP15P15T TO-220
IXTY10P15T TO-252 -150 -10 350 83 36 120 -55…+150
IXTA10P15T TO-263
IXTP10P15T TO-220
IXTY26P10T TO-252 -100 -26 90 150 52 70 -55…+150
IXTA26P10T TO-263
IXTP26P10T TO-220
IXTY48P05T TO-252 -50 -48 30 150 53 30 -55…+150
IXTA48P05T TO-263
IXTP48P05T TO-220

Новые высоковольтные P-канальные MOSFET-транзисторы TO-252 TO-263 TO-220 TO-247
Новые высоковольтные P-канальные MOSFET-транзисторы TO-252 Новые высоковольтные P-канальные MOSFET-транзисторы TO-263 Новые высоковольтные P-канальные MOSFET-транзисторы TO-220 Новые высоковольтные P-канальные MOSFET-транзисторы TO-247

Заказать образцы для оценки возможности применения новых транзисторов в Вашей аппаратуре и получить более подробную информацию можно в любом офисе компании ЭЛТЕХ, на сайте производителя или написав по электронной почте.