задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

IGBT транзисторы

В силовой электронике широко используются IGBT-транзисторы, в русскоязычной терминологии также известные как биполярные транзисторы с изолированным затвором. Они представляют собой гибрид биполярного и полевого транзисторного устройства, включающий преимущества каждого из них. Эти транзисторы работают как мощный электрический ключ, который ставится в инверторы, импульсные источники питания и системы управления электроприводов. У нас можно купить IGBT-элементы таких производителей, как Toshiba, IXYS и Renesas Electronics. В каталоге представлено несколько сотен образцов, которые можно подбирать по конфигурации, рабочим параметрам, цене и наличию на складе.

Наименование
GN2470K4-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 47,41
10 - 24 46,75
От 25 46,42

Нет в наличии

IRGP50B60PDPBF
Количество Цена с НДС, руб.
От 1 163,67

В наличии

ITF38IF1200HJ
IX169X12A
Количество Цена с НДС, руб.
500 - 999 1 052,21
1000 - 4999 945,27
От 5000 848,89

Нет в наличии

IXA12IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 177,39
10 - 29 171,48
От 30 181,44

Нет в наличии

IXA12IF1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 155,52
10 - 49 150,33
От 50 145,15

В наличии

IXA12IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 228,42
10 - 29 220,80
От 30 234,09

Нет в наличии

IXA17IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 285,52
10 - 29 276,01
От 30 293,22

Нет в наличии

IXA20I1200PB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 165,25
10 - 49 159,72
От 50 154,23

Нет в наличии

IXA20I1200PZ
IXA20IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 260,01
10 - 29 251,35
От 30 266,49

Нет в наличии

IXA220I650NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 721,67
10 - 19 1 664,28
От 20 1 698,59

Нет в наличии

IXA27IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 345,07
10 - 29 333,56
От 30 353,98

Нет в наличии

IXA33IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 347,50
10 - 29 335,91
От 30 357,21

Нет в наличии

IXA37IF1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 417,97
10 - 29 404,03
От 30 429,31

Ожидается поступление на склад

IXA40I4000KN
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 24 4 702,10
25 - 49 4 210,43
От 50 4 046,00

В наличии

IXA45IF1200HB
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 413,11
10 - 29 399,34
От 30 424,45

Нет в наличии

IXA4I1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 58,32
10 - 49 56,38
От 50 54,43

Нет в наличии

IXA4IF1200PZ
IXA4IF1200TC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 173,74
10 - 29 167,96
От 30 178,20

Нет в наличии

IXA4IF1200UC
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 72,90
10 - 49 70,47
От 50 68,04

Нет в наличии

IXA55I1200HJ
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 600,22
10 - 29 580,22
От 30 615,61

Нет в наличии

IXA60IF1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 244,17
10 - 19 1 202,70
От 20 1 227,97

В наличии

IXA70I1200NA
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 1 049,78
10 - 19 1 014,78
От 20 1 036,00

Нет в наличии

IXA70R1200NA
IXBA10N300HV
IXBA14N300HV
IXBA16N170AHV
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 409,46
10 - 49 395,81
От 50 382,17

Нет в наличии

IXBF10N300C
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 2 936,69
10 - 24 2 838,80
От 25 2 850,56

Нет в наличии

IXBF14N300
Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Напряжение, В Рабочее напряжение, В Распродажа компонентов Ток, А Падение напряжения, В Обратный диод Конфигурация
Microchip Technology INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR, 700V, 3.5A, 3 DPAK T/R 47,41
Infineon IGBT DISCRETES 163,67
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V Fast Trench IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 52 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 42 А. Класс ISOPLUS247™ 1200 V 52
IXYS кристалл IGBT 1 052,21
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 177,39 TO-247AD 1200 V 20
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-220AB. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 155,52 TO-220AB 1200 V 20
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 20 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 14 А. Класс п 228,42 TO-268AA 1200 V 20
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 19 А. Клас 285,52 ISOPLUS247™ 1200 V 28
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-220AB. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 165,25 TO-220AB 1200 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц TO-263ABHV 1200 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 24 А. Класс п 260,01 TO-247AD 1200 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 650 V. Технология 650V XPT™ IGBT. Рабочий ток (t=25 °C): 335 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. 1 721,67 SOT-227B MiniBLOC 650 V 335
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 43 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 345,07 ISOPLUS247™ 1200 V 43
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 347,50
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 58 А. Корпус: ISOPLUS247™. Встроенный диод, ток диода: 25 А. Клас 417,97 ISOPLUS247™ 1200 V 58
IXYS IGBT-транзистор, 4000 V. Технология NPT IGBTs. Рабочий ток (t=25 °C): 80 А. Корпус: PLUS264. Класс переключения: A3 Class, более 5 кГц. Время переклю 4 702,10 PLUS264 4000 80 2.7 Нет Single
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 78 А. Корпус: TO-247AD. Встроенный диод, ток диода: 33 А. Класс п 413,11 TO-247AD 1200 V 78
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГц. Э 58,32 TO-252AA 1200 V 9
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-263ABHV. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс п TO-263ABHV 1200 V 9
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-268AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 173,74 TO-268AA 1200 V 9
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 9 А. Корпус: TO-252AA. Встроенный диод, ток диода: 6 А. Класс пер 72,90 TO-252AA 1200 V 9
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 84 А. Корпус: ISOPLUS247™. Класс переключения: C3 Class, 20-60 кГ 600,22 ISOPLUS247™ 1200 V 84
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 88 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 51 А 1 244,17 SOT-227B MiniBLOC 1200 88 1.8 Да Copack(Sonic-FRD)
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Класс переключения: C3 Class, 2 1 049,78 SOT-227B MiniBLOC 1200 V 100
IXYS IGBT-транзистор, 1200 V. Технология 1200V XPT™ IGBT, GenX35. Рабочий ток (t=25 °C): 100 А. Корпус: SOT-227B MiniBLOC. Встроенный диод, ток диода: 55 SOT-227B MiniBLOC 1200 100 1.8 Да Boost
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 34 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 2010 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 34
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 38 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия выкл TO-263ABHV 2500 V 38
IXYS IGBT-транзистор, 1700 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 16 А. Корпус: TO-263ABHV. Время переключения (при 25°C): 150 нс. Энергия выключ 409,46 TO-263ABHV 1700 V 16
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 29 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 165 нс. Энергия в 2 936,69 ISOPLUS i4-PAC 2500 V 29
IXYS IGBT-транзистор, 2500 V. Технология BiMOSFETs. Рабочий ток (t=25 °C): 28 А. Корпус: ISOPLUS i4-PAC. Время переключения (при 125°C): 1730 нс. Энергия ISOPLUS i4-PAC 2500 V 28
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

Современные IGBT-транзисторы как правило не работают в линейном режиме, их параметры оптимизируются для работы на определенных частотах. При работе на этих частотах IGBT-транзисторы имеют минимальные потери при переключении и обеспечивают максимальный КПД переключающей схеме.

При подборе подходящих транзисторов можно воспользоваться помощью наших консультантов, оптовые покупатели получают значительные скидки.

Вопрос-ответ

Задать вопрос