задать вопрос консультанту online
Логотип компании ЭЛТЕХ

MOSFET транзисторы

ЭЛТЕХ предлагает купить MOSFET транзисторы со склада таких производителей как Toshiba и IXYS. На складе представлена широкая линейка как одиночных MOSFET транзисторов, так и модулей MOSFET транзисторов для построения мостовых схем.

Наименование
2N6660
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 849,74
10 - 24 838,01
От 25 832,16

Нет в наличии

2N6661
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 849,74
10 - 24 838,01
От 25 832,16

Нет в наличии

2N7000-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 15,22
10 - 24 15,00
От 25 14,89

Нет в наличии

2N7002-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 19,56
10 - 24 19,29
От 25 19,16

Нет в наличии

2N7008-G
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 20,65
10 - 24 20,37
От 25 20,23

Нет в наличии

2SJ360(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 17,55
10 - 24 17,07
От 25 16,84

Нет в наличии

2SJ598-Z-E1-AZ
2SJ601-Z-E1
2SJ605-ZJ-E1
2SJ605-ZJ-E1-AZ
2SJ668(TE16L1,NQ)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 25,36
10 - 24 24,66
От 25 24,33

Нет в наличии

2SJ681(Q)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 15,32
10 - 24 14,89
От 25 14,47

Нет в наличии

2SK1588-T1
2SK1852-T
2SK2399(TE16L1,NQ)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 27,88
10 - 24 27,13
От 25 26,74

Нет в наличии

2SK2615(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 13,10
10 - 24 12,74
От 25 12,57

Нет в наличии

2SK2719(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 67,46
10 - 24 65,57
От 25 63,70

Нет в наличии

2SK2847(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 128,62
10 - 24 125,02
От 25 121,42

Нет в наличии

2SK2865(TE16L1,NQ)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 26,09
10 - 24 25,37
От 25 25,02

Нет в наличии

2SK2917(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 169,78
10 - 24 165,02
От 25 160,28

Нет в наличии

2SK2963(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 14,03
10 - 24 13,64
От 25 13,24

Нет в наличии

2SK2992(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 13,68
10 - 24 13,30
От 25 12,92

Нет в наличии

2SK3110
2SK3294-ZJ-E1-AZ/JM
2SK3471(TE12L,F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 17,18
10 - 24 16,71
От 25 16,24

Нет в наличии

2SK3480
2SK3480-AZ
2SK3564(STA4,Q,M)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 47,11
10 - 24 45,83
От 25 45,19

Нет в наличии

2SK3565(STA4,Q,M)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 61,42
10 - 24 59,74
От 25 58,91

Нет в наличии

2SK3633(F)
Количество Цена с НДС, руб.
1 - 9 82,33
10 - 24 82,33
От 25 78,98

Нет в наличии

Производитель Подробное описание компонента                                                                                  Наличие Распродажа Цена за 1 шт. Корпус Тип монтажа Распродажа компонентов Полярность VDSS, В ID, А Qg (нКл) PD, Вт RDS(ON)(Макс)@VGS=10В, Ом
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 3 Ohm, 3 TO-39 BAG 849,74
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 90V, 4 Ohm, 3 TO-39 BAG 849,74
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 5 Ohm, 3 TO-92 BAG 15,22
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 7.5 Ohm, 3 SOT-23 T/R 19,56
Microchip Technology MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE, 60V, 7.5 Ohm, 3 TO-92 BAG 20,65
Toshiba 17,55
Renesas Electronics MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-12 А, Qg=15 нКл, PD=23 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,13 , 3pin-TO252 Поверхностный монтаж 3pin-TO252 Поверхностный P-канальный -60 -12 15 23 0.13
Renesas Electronics
Renesas Electronics MOSFET, Pch-канальный, VDSS=-60V, Id=-65А, Rds(on)max= 0.02Ом@VGS=10B
Renesas Electronics MOSFET транзистор, P-канальный, VDSS=-60 В, ID=-63 А, Qg=87 нКл, PD=100 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,02 , 3pin-TO263 Поверхностный монтаж 3pin-TO263 Поверхностный Да P-канальный -60 -63 87 100 0.02
Toshiba 25,36
Toshiba 15,32
Renesas Electronics 3pin-SOT-89 Поверхностный Да N-канальный 16 1 27 2 0.5
Renesas Electronics MP-10 Сквозной Да N-канальный 100 10 27 1.8 0.12
Toshiba 27,88
Toshiba 13,10
Toshiba 67,46
Toshiba 128,62
Toshiba 26,09
Toshiba 169,78
Toshiba 14,03
Toshiba Не рекомендуется для новых разработок 13,68
Renesas Electronics SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE 3pin-TO-220 Сквозной Да N-канальный 200 14 40 2 0.0018
Renesas Electronics
Toshiba 17,18
Renesas Electronics MOSFET, Nch-канальный, Single, VDSS=100В, ID(DC)=50А, RDS(ON)max=0.03Ом@VGS=10V , MP-25/TO-220
Renesas Electronics MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=100 В, ID=50 А, Qg=74 нКл, PD=1,5 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =0,031 , 3pin-TO-220 Поверхностный монтаж 3pin-TO-220 Сквозной Да N-канальный 100 50 74 1.5 0.031
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=3 А, Qg=17 нКл, PD=40 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =4,3 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтаж 47,11 3pin-TO-220SIS Сквозной N-канальный 900 3 17 40 4.3
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=900 В, ID=5 А, Qg=28 нКл, PD=45 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =2,5 , 3pin-TO-220SIS Сквозной монтаж 61,42 3pin-TO-220SIS Сквозной N-канальный 900 5 28 45 2.5
Toshiba MOSFET транзистор, N-канальный, VDSS=800 В, ID=7 А, Qg=35 нКл, PD=150 Вт, RDS(ON)(max) при VGS=10 В, Ом =1,7 , 3pin-TO-3P(N) Сквозной монтаж 82,33 3pin-TO-3P(N) Сквозной N-канальный 800 7 35 150 1.7
  • Показывать записей
  • 10
  • 30
  • 50
  • 100

MOSFET транзисторы IXYS представлены следующими семействами:

  • Trench и Trench Power MOSFET: идеально подходят для низковольтных применений с большим током коммутации. Для них характерно маленькое сопротивление открытого канала.
  • HiPerFET: технология, которая может применяться совместно с другими технологиями, ее особенность в наличии быстрого обратного диода, а также минимального сопротивления открытого канала и минимального заряда затвора.
  • Polar Power MOSFET (IXT): проприетарная технология, позволившая уменьшить на 30% сопротивления канала и одновременно уменьшить заряд затвора, позволяет строить оптимизированные по цене импульсные источники питания.
  • PlarP2 Power MOSFET: модельный ряд транзисторов семейства Polar Power MOSFET оптимизированный для работы в классе устройств 500.
  • PlarP3 HiPerFET Power MOSFET: самая последняя модификация транзисторов семейства Polar Power MOSFET, оптимизированная для работы в классе устройств 300-600 вольт.
  • Extended FBSOA Linear Power MOSFET: Семейство силовых транзисторов, работающих в линейном режиме, предназначеных для работы в таких устройствах как: источники тока, программируемая нагрузка, регулятор напряжения, устройства плавного пуска/останова, управление двигателями и т.п. Не предназначены для работы в схемах с высокими частотами переключения.
  • Depleation-Mode MOSFET: Полевой транзистор, работающий в режиме обеднения, работает в так называемом ”нормально - открытом” режиме. Для того, чтобы закрыть данный тип транзистора  требуется приложить отрицательный потенциал к затвору. Области применения: источник тока, твердотельное реле, активная нагрузка, схема запуска и т.п.
  • PolarP P-Channel Power MOSFET: P-канальный MOSFET, построенный на основе проприетарной технологии IXYS, позволившей уменьшить на 30% сопротивления канала и одновременно уменьшить заряд затвора. Используется в качестве верхнего плеча мостовой схемы, позволяет строить схемотехнически более простые и оптимизированные по цене импульсные источники питания.
  • Q3-Class HiPerFET MOSFET: Полевой транзистор с уменьшенным зарядом затвора и уменьшенной «емкостью Миллера». Оптимизирован для работы в высокочастотных силовых импульсных схемах.
  • Very High Voltage Power MOSFET: N-канальный MOSFET, спроектированный для работы в высоковольтных (2,5 кВ и 4,5 кВ) высокочастотных импульсных преобразователях. Может работать при параллельном включении нескольких аналогичных транзисторов, т.к. имеет положительный температурный коэффициент  открытого канала.

Кроме MOSFET транзисторов на складе также поддерживаются IGBT транзисторы, силовые диоды и модули на их основе. А также широкая номенклатура драйверов MSFET и IGBT транзисторов.

Вопрос-ответ

Задать вопрос